华为郭平:不会放弃手机业务 消费者BG能活下来；蓝海or红海?警惕第三代半导体未来的价格战；传马来西亚某芯片封测厂再次因疫情关闭

集微网报道（文/清泉）在以硅为代表的半导体工艺渐近极限之际，新材料、新封装、新架构等创新技术不断涌现。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体脱颖而出，或成为后摩尔时代集成电路领域最具颠覆性的技术之一。

时下，第三代半导体领域的投资布局热潮遍及国内外，尤其是在国内，各地纷纷上马第三代半导体项目。但不容置疑的是，在技术先进性上国内与国外仍然存在显著差距，面对国外龙头企业在先进工艺上的布局与接下来的量产，工艺提升带来的成本降低，无疑将给国内企业带来巨大的价格竞争压力。

走向规模化量产，未来5年进入高速发展期

作为宽禁带半导体材料，碳化硅、氮化镓具有许多优异的特性，如更高的功率转换效率、更高的工作频率、更小的芯片面积、单个器件更好的耐压特性等。而在5G基站、电源转换、雷达探测、航空航天、电动汽车、光伏逆变等新兴应用的推动下，第三代半导体开始从研发阶段走向大规模量产，产业应用进入快速发展期。

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山在接受集微网采访时表示：“未来5年将是第三代半导体产业发展的一个高速时期，产业应用将迎来快速发展。目前全球的资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，相应的产能大幅提升，特别是国际上的一些龙头企业，扩产和企业并购频发，处于产业爆发的抢跑阶段。”

根据Yole数据，碳化硅功率器件市场规模将从2018年的4亿美元增加到2024年的50亿美元，年复合增速约51%；碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美元增长到2024年的11亿美元，复合增速达44%；全球氮化镓功率器件市场将从2020年的4600万美元增加到2026年的11亿美元，年复合增速约 70%。

而在前不久召开的第十五届中国半导体行业协会半导体分立器件年会上，中国电子科技集团公司原副总经理、研究员赵正平也认为，经过20多年发展，宽禁带半导体SiC/GaN已进入产业发展的高速期。但要走向产业广泛应用，SiC器件仍需不断降低成本，推进大尺寸量产是重要发展方向；另外，器件的性能、可靠性、抗浪涌能力等也需提高才能满足大规模广泛使用需求。

赵正平同时指出，由于产业界已经用惯了硅器件，在向SiC的迁移上存在着固有的惰性，因此，器件设计生产领域和应用领域需加强结合，在新拓扑结构、驱动电路和抑制寄生效应等方面要创造良好的生态。

产能提升，成本逐年下降

正如上所述，目前制约第三代半导体走向广泛产业化应用的一个主要因素是价格。复杂的制造工艺流程和更高的原材料、技术要求提高了第三代半导体的量产难度，进一步抬高了成本。与硅器件相比，碳化硅、氮化镓在价格上仍然处在高位，但这一状况正在改变。

因国际巨头在第三代半导体领域的加码投资，随着碳化硅6英寸衬底、外延片质量提高、8英寸产线实现规模化生产，降本效应将逐渐显现。

2019年5月，美国CREE公司宣布5年内将投资10亿美元用于扩大碳化硅产能（其中4.5亿美元用于8英寸量产），到2024年全部完工时将带来碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和碳化硅材料生产的30倍增长。

2021年7月27日，意法半导体宣布，已制造出业界首批8英寸SiC晶圆。与6英寸晶圆相比，8英寸晶圆将制造芯片的可用面积几乎扩大一倍，合格芯片产量是6英寸晶圆的1.8-1.9倍，产能将大幅提高。

前不久，英飞凌大中华区电源与感测系统事业部协理陈志星亦表示，三至五年后英飞凌有机会把碳化硅、氮化镓成本降到跟硅基器件相仿的程度。目前，英飞凌已推出Cool SiC、Cool GaN系列产品线，并实现量产。

数据来源：Mouser、Digi-Key、CASA Research

蓝海前景下，国内厂商须避免陷入红海价格战

相较之下，虽然国内在第三代半导体领域的投资与建厂非常火热，但在技术上与国外仍然存在明显差距。

于坤山指出，“在碳化硅材料上，国内面临着衬底、外延及芯片封装等一些关键瓶颈技术，尤其是衬底是卡脖子技术。国内碳化硅4英寸技术已成熟，6英寸刚刚起步，急需加速6英寸衬底和外延材料的产业化，而从6英寸到8英寸，国内还面临一大门槛。”

数据来源：CASA Research

显见的是，随着CREE、英飞凌、意法半导体、罗姆等国际龙头企业纷纷实现产能扩建以及8英寸晶圆逐渐走向量产，可以预计明年将有大规模的产能释放。

为此，于坤山发出警示:“8英寸（碳化硅）的制造成本比6英寸将大幅降低，未来面临着严酷的市场竞争，最后有可能掀起价格战。如果国内不能尽快地实现碳化硅8英寸技术的突破，那将意味着我们在国际竞争中将处于不利的地位。同样，氮化镓要想打开电力电子与微波射频领域的应用市场，面临的挑战依然是量产和降低成本。”

“理论上，从6英寸到8英寸碳化硅器件价格肯定会降低，但是降低的幅度取决于具体的产量和市场的总体需求。” 爱集微高级分析师朱航欧对此表示。

北京三安光电有限公司副总经理陈东坡指出：“目前来看，8英寸还有很多问题需要解决，由于成熟度的原因，当下性价比还没有明显显现出来。不过，8英寸晶圆的成功制造给国内产业界带来信心，说明实践上是可行的，也会加速国内在这一方面的投入。”

但不可否认，随着未来成本下降，不管是价格上还是技术上，国内厂商面临的竞争将更加激烈。

陈东坡指出，“目前国内厂商的应对之道，首先要把6英寸做好，同时尽快启动8英寸的研发与建厂工作。”

朱航欧认为，“目前产量的上升会让更多企业有机会去试用，碳化硅器件应用进程会得到加速。国内企业只有提升产品质量，加速研发进程，才能在这一波角逐中更好的生存下去。”

在以硅为代表的第一代半导体发展历程中，国内半导体产业走了不少弯路，导致现在处处被卡脖子。而第三代半导体的出现为国内提供了一个后来居上的发展机会，有望成为我国半导体技术和产业崛起的新突破口。鉴于此，在产业链布局与建设方面更需吸取以往的经验和教训，注重产品质量和关键技术水平的提升，充分了解市场及产业整体需求，实行有序扩产，避免低端重复建设，以应对国际龙头企业在技术和价格上的竞争压力。

（校对/无剑芯）

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集微网报道 今日(8月17日)，研究机构Research Dive发布报告，预计全球半导体封装市场到2028年市场规模将达到522.716亿美元，并在预测期内（2021年至2028 年）复合增长率达到7.0%。

报告指出，消费电子产品利用率的提高以及全球人均收入的增长是在预测期内推动全球半导体封装市场增长的重要因素。此外，物联网 (IoT) 和人工智能 (AI) 在消费电子、机器人、电信、航空航天和国防、汽车等领域中越来越多地采用，正在推动市场增长。此外，预计到2028 年，3D封装技术的采用激增将为市场创造有利可图的增长机会。

分析指出，覆晶封装（Flip Chip）细分市场在2020年的规模为166.549亿美元，预计在预测期内将占据主导市场份额。这主要是由于商业和零售用途的电子产品对先进高性能的需求不断增长。此外，手机等消费电子设备的渗透率和可负担性的提高正在加速该细分市场的增长。

从封装材料来看，陶瓷封装细分市场预计将以最快的速度增长，到2028年将达到64.961亿美元的规模。这主要是由于电子元件在各种汽车零部件中的使用不断增加，汽车行业对陶瓷封装的需求迅速增加。

按地区划分，亚太半导体封装市场预计到2028年将以6.8%的复合增长率增长，达到190.785亿美元的规模。该地区的主要增长可归因于成熟的工业和经济基础消费电子产品的生产以及中国台湾地区、日本和中国大陆地区等主要半导体制造区域的存在。此外，这些地区人均收入的增加导致智能手机、高清电视机、个人电脑等半导体产品和设备的支出快速增长。（校对/LL）

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集微网消息，常见的自动驾驶测距传感器包括视觉传感器、毫米波雷达、激光雷达等，其中传统毫米波雷达因其点云密度不足、对非金属物体的反射感知难等问题，让其难以充当自动驾驶距离感知的主力，而是作为辅助系统，与其他感知设备共建自动驾驶解决方案。

不过，自从4D成像雷达兴起之后，毫米波雷达又重新进入自动驾驶感知第一阵营，市面上也出现了毫米波雷达将成为激光雷达替代者的观点。背后真相究竟如何？“从理论上说，4D成像雷达存在取代激光雷达的可能。”行业人士向集微网如是表示。

多一个维度，毫米波雷达打破瓶颈桎梏

毫米波雷达、激光雷达、摄像头被称为自动驾驶的“三驾马车”，三种技术各有优缺点，相辅相成共同引领自动驾驶向前发展。其中激光雷达因其分辨率高、测距精度高、方向性强、响应时间快，已经成为高级自动驾驶主传感器；光学成像也因其良好的人/车/物的分析与识别效果，得到以特斯拉为代表的一批主机厂的青睐。

不过，后两种方案都存在较为致命的缺点，在雨雪雾霾等恶劣天气下存在较大失效可能性，光学成像在夜间、强光等环境下的性能也会大受影响。而这恰恰是毫米波雷达的长项，其波长为1～10毫米，大气衰减小、对烟雾灰尘具有更好的穿透性，支持全天候工作。

在车载领域，毫米波雷达工作频率主要有近距离探测（SRR）24GHz和中远距离探测（LRR）77GHz两种频段，具有同时探测距离、水平角度及速度的优势，在自适应巡航控制（ACC）、前向防撞报警（FCW）、盲点检测（BSD）、辅助停车（PA）、辅助变道（LCA）等辅助自动驾驶应用中得到广泛应用。

不过，毫米波雷达自身也存在某些缺陷，影响了其性能发挥。显而易见的是，由于角度分辨率不高，目前的3D毫米波雷达对目标的检测只局限于零散的一些反射点，而无法对目标的轮廓进行成象，所以对一些弱反射目标的检测，会存在漏检测或误检测的情况。对自动驾驶而言，这些缺陷存在较大安全隐患。

近年来发生了多起自动驾驶车辆伤人事件，如Uber、特斯拉等都有过类似遭遇，业内人士分析认为，单纯依靠某种传感器，都无法真正实现全场景下的自动驾驶，其安全冗余性也不够好，导致了多起事故的发生，这也让业界更加坚定了多传感器融合方案路线。

其中，分辨率更高的激光雷达被自动驾驶赋予了重任。只是，激光雷达目前规模化量产难，仍处于多种技术路线相互搏击的进程中，方案尚未成熟，且价格高昂，这让激光雷达“上车”困难。业内，包括特斯拉等以自动驾驶为卖点的主机厂，主动放弃激光雷达方案，高成本是重要原因。

自动驾驶“三驾马车”优劣势比较（根据公开资料整理）

在比较激光雷达和毫米波雷达方案后发现，无论是探测距离、抗干扰能力，还是装车成本，毫米波雷达都要好于激光雷达，如果毫米波雷达具备激光雷达高角分辨率的性能，那么毫米波雷达无疑将成为自动驾驶的首选感知装备。

事实上，行业早就在着手研发弥补毫米波雷达短板的方案，2018年底，德州仪器提出4D成像毫米波雷达概念，并推出了相关方案。根据设计，4D成像毫米波雷达除了支持探测距离、水平角度及速度三个参数外，还增加了高度信息，同时追求高分辨率，要求做到对人、机动车、非机动车的目标检测。

2020年年中，德国大陆集团在上游芯片方案提供商的支持下，成功推出了全球首款4D成像毫米波雷达——ARS540；随后又推出ARS548款式产品，该雷达提供有12个发射通道和16个接收通道，拥有28个物理通道和192个虚拟通道，通过在硬件上增加收发通道数量，扩大天线孔径的同时，通过RDI (Radar Detection Image雷达原始点云)可以为每个目标提供高分辨率的水平方位角和俯仰角两个维度的角度信息，满足高分辨率需求，实现目标探测距离达300米。

今年上海车展期间，立志成为智能汽车时代一级供应商的华为，也发布了旗下4D成像毫米波雷达，据了解，该产品配置了12个发射通道和24个接收通道，整体具备了288个虚拟通道，比常规毫米波3发4收的天线配置整整提升了24倍，成为短期可量产的最大天线配置成像雷达。

加速L2、L3级自动驾驶普及或是真相

4D成像毫米波雷达的出现，解决了角分辨率低、对人体检测难等问题，具备激光雷达的部分优势性能，以华为4D成像毫米波雷达为例，该款产品将水平视场角从90°提升到了120°，垂直视场角从18°提升到了30°，覆盖范围超过了大部分激光雷达，还具备激光雷达所不具备的全天候场景适应及同时测速功能，集传统毫米波雷达与激光雷达优势于一身。

更值得称赞的是，毫米波较长的波长，还具备绕障能力——非视距感知，该功能具备一定的多径传播现象，能通过前方车底感知视距之外的车辆及物体，支持检测被前方车辆遮挡住的1-2台车的位置与速度，这是激光雷达、摄像头所不具备的功能。

鉴于此，有观点认为，4D成像毫米波雷达已经具备甚至超越低线束激光雷达的潜力，自动驾驶可不再需要成本高昂的激光雷达了，完全可交由4D成像毫米波雷达来实现；甚至打出了2021年为4D成像毫米波雷达元年的口号。

那么，4D成像毫米波雷达能否替代激光雷达上车，并实现自动驾驶功能？“从理论上说，是存在这样的可能的，当4D成像毫米波雷达的实现效果与激光雷达的效果基本一致的时候，毫米波雷达的优势会更为凸显。”某激光雷达行业人士表示。

该人士同时认为，无论何种雷达技术，价格和量产仍是决定谁能上车的主因。相比激光雷达，4D成像毫米波雷达具备价格优势，而目前的自动驾驶主要是进行自动跟车、并线辅助等功能，4D成像毫米波雷达完全具备取代激光雷达的能力；但在全球芯片短缺以及地缘政治影响下，国内仍面临着量产难问题。

承泰科技产品总监张问海进一步介绍道：“4D成像毫米波雷达具有更高的冗余性，与视觉融合实现的自动驾驶效果，可等效于8线及以下的激光雷达效果。在一定程度的自动驾驶应用中，是可以取代激光雷达的。不过，4D成像毫米波雷达尚处于发展初期，是行业未来的研究方向，在更高级别自动驾驶领域的应用，若要取代激光雷达，还有待在技术进一步发展。”

而在辅助驾驶领域，4D成像毫米波雷达价格接近于传统毫米波雷达，这让低线束激光雷达的优势无法凸显出来，“从自动驾驶角度看，4D成像毫米波雷达的高性价比能更好实现感知冗余以及与摄像系统融合，取代低线束激光雷达加速普及L2、L3级自动驾驶应用。”另一位知情人士表示。

涉及自动驾驶验证阶段，行业其实更注重的是安全、可靠性，而不是考虑能否替代。如上业内人士表示：“无论使用何种技术方案，需要攻克的技术难点其实是一样的，从稳重角度考虑，行业对选择未来方案会比较谨慎，在更高级别驾驶应用中，主机厂不会轻易地放弃激光雷达技术，而是选择多传感器融合。”

事实上，目前基于4D成像毫米波雷达的自动驾驶方案，仍是选择多传感器融合方案。华为认为，4D成像毫米波雷达将成为自动驾驶下一个必备武器，不过仍需和高线束激光雷达、高清摄像头融合，推进高级自动驾驶的实现。

需要指出的是，4D成像毫米波雷达所需要的处理芯片，本土企业严重依赖英飞凌、德州仪器、意法半导体、亚德诺半导体等少数几家企业，某业内人士向笔者透露，华为目前仍不具备4D成像毫米波雷达芯片的研发及生产能力，其产品所用的芯片大概率为德州仪器所供应，“在地缘政治背景下，华为4D成像毫米波雷达的供货稳定性还是受到一定影响的。”（校对/James）

集微网消息，蔚来车主发生事故后，目前对自动驾驶的争议仍在持续发酵。理想汽车创始人李想在朋友圈发文，呼吁媒体和行业机构统一自动驾驶的中文名词的标准，避免夸张的宣传造成用户使用误解。

360创始人周鸿祎也对该观点表示认同。他表示：“人工智能不是营销话术，没有那么神奇，自动驾驶无人驾驶还有很多路要走很多坑要填，不能为了营销误导用户，李想的建议我大部分赞同，L2 到 L5 都是行业黑话自娱自乐，应该变成普通用户可以望文生义的简单概念，但是 L3 = 自动辅助驾驶容易混淆误解，还是 L3 = 高级辅助驾驶比较好，你觉得叫什么比较好”。

实际上目前大部分造车新势力为了在宣传上占据优势，不惜对自己的辅助驾驶功能添油加醋，让车主误以为其具备自动驾驶功能，然而实际上却相去甚远，导致了多起车祸悲剧的产生。

从客观一点的角度来讲，从L2到L5都不应该带上所谓的自动驾驶字眼，只保留辅助驾驶，并且在技术真正成熟之前不得大肆宣传营销，这样才是对数以万计的车主人身安全负责任。

据外媒GSMArena报道，有知情人士透露了三星Galaxy S22系列的关键硬件规格，对比上一代Galaxy S21，Galaxy S22在外观上又做了一定改动。

屏幕方面，三星Galaxy S22系列三个型号将分别采用6.01、6.55、6.81英寸屏幕和3800mAh、4000mAh、5000mAh电池。此外Galaxy S22系列将全系支持120Hz刷新率，而Ultra型号将是唯一一款具有QHD+分辨率和LTPO面板的手机。

该项爆料如果属实，那么三星Galaxy S22系列将是2019年的Galaxy S10e以来最小的Galaxy S系列手机。

从中可以看出来，目前三星也在不断学习华为的产品策略，即对中杯（Galaxy S22）做减法，对超大杯（Galaxy S22 Ultra）做加法，S22的配置可能会越来接近一部中端机而非旗舰机。

不过瘦身之后的Galaxy S22尺寸相应变小，可能会有更好的手感，这对于目前动辄半斤重1cm厚的手机市场来讲，也算是有了一个额外的选择，给我们的双手减轻了一点负担。

（校对/Laze Sun）