专栏名称: 半导体行业观察

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次5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制？

半导体行业观察 · 公众号 · 半导体 · 2017-07-21 08:52

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研究人员预测，所展示的架构、材料和协同最佳化技术将有助于产生可靠的FET，且其厚度可一直降低至单原子级，闸极长度短于20埃，推动奈米线FET持续进展成为FinFET的接班技术。Imec目前正评估除了黑色荧光粉以外的其他材料作为主要的备选技术，将奈米线FET延伸到原子级2D通道。

根据Imec，除了为FET延续摩尔定律的微缩规律以外，2D材料还有助于加强光子学、光电子学、生物感测、能量储存和太阳光电的发展。

Imec的研究伙伴包括来自比利时鲁汶天主教大学(Catholic University of Leuven)和义大利比萨大学(Pisa University)的科学家。这项研究的赞助资金来自欧盟(EU)的石墨烯旗舰(Graphene Flagship)研究计划以及Imec Core CMOS计划的合作伙伴，包括GlobalFoundries、华为(Huawei)、英特尔(Intel)、美光(Micron)、高通( Qualcomm)、三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、Sony Semiconductor Solutions和台积电(TSMC)共同赞助了这项计划。

有关这项研究的更多资讯刊载在《自然》(Nature)科学报导的「基于FinFET的2D材料-设备-电路协同最佳化可实现超大型技术制程」(Material-Device-Circuit Co-optimization of 2D Material based FETs for Ultra-Scaled Technology Nodes)，Imec并在文中提供了为次10nm晶片高性能逻辑晶片选择材料、设计元件和最佳化性能的指导原则。Imec解释，在闸极长度低于5nm的情况下，与闸极堆叠有关的2D静电特性所带来的挑战，更甚于2D FET材料直接源极到漏极的穿隧作用。

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