FD-SOI“王者归来” 本土IC有望借势逆袭

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平面CMOS工艺与FinFET原理示意

另一类微缩技术SOI并不向3D方向发展，而是继续在平面上解决晶体管的微缩问题。SOI（Silicon-On-Insulator）意即绝缘体上覆硅，这种工艺将硅电路集成在绝缘衬底之上，相较于传统CMOS结构上大大简化，并减少晶体管的漏电现象，因此有利于提高半导体晶体管的密度，也能够节约成本。

SOI工艺原理示意

FinFET与SOI同为解决高阶制程的晶体管排布问题而生。长期以来，高性能芯片是带动半导体产业增长的主导力量，如移动SoC、高端CPU等，这也就使得英特尔和台积电所主导的FinFET占据优势。不过，随着物联网、汽车电子以及AI等产业的兴起，工艺更简约、性价比更高的SOI正迎来崛起良机。

新兴产业带来良机 SOI工艺迎崛起

从下图的预测不难看出，至2025年，存储器、FPGA、逻辑器件以及微处理器（MCU、MPU）等器件对全球IC产业增长所起的作用越来越大，而这些元器件正是AI、物联网及汽车电子产业发展所必须。因此可以说，全球半导体产业增长的主导权正逐渐从手机、PC产业转移至以AI为代表的新兴产业。

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