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2、紫光集团
宣布进军DRAM产业
2019年6月30日，紫光集团正式宣布组建DRAM事业群，委任刁石京为DRAM事业群董事长，高启全（Charles Kau）为DRAM事业群首席执行官（CEO）。
此举标志着DRAM业务版块在紫光集团内部获得战略提升。
随后，紫光迅速布局，8月27日和重庆市人民政府签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。
根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂。
12英寸DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。
64层3D NAND闪存投产
2019年8月26日，长江存储64层3D NAND闪存芯片在第二届中国国际智能产业博览会上首次公开展出。
9月2日，长江存储在其官方微信正式宣布，已经投产基于Xtacking架构打造的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
长江存储上海研发中心落户张江
2019年8月31日，2019世界人工智能大会“生态引领、智链浦东”峰会在世博中心召开。
会上，长江存储上海研发中心签约上海集成电路设计产业园。
紫光长存（上海）集成电路有限公司与张江高科签约的长江存储上海研发中心为自主研发存储芯片项目，将在张江成立上海研发中心，预计研发投入每年不低于1亿元。
聘任坂本幸雄
2019年11月15日，紫光集团正式宣布任命前尔必达CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）为紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO，负责拓展紫光在日本市场的业务。
坂本幸雄在接受《钻石周刊》独家专访中谈到，紫光的目标是5年内量产DRAM，他的工作就是协助达成目标。
紫光要在日本神奈川县川崎办公室设立“设计中心”，预定招募70到100位工程师，和中国的制程据点密切合作，大约花2、3年建构量产的体制。
武汉新芯二期投产
2019年武汉新芯二期扩产项目顺利投产，将于2020正式量产。
2018年8月28日，武汉新芯集成电路制造有限公司召开二期扩产项目现场推进会在武汉召开。
据悉武汉新芯二期扩产项目规划总投资17.8亿美元；
2018年12月开始进入设备安装调试。
紫光成都存储器制造基地项目
2019年，原预计于2020年第三季投产的紫光成都存储器制造基地项目主厂房还在建设中。
2018年10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工。
据介绍，紫光成都存储器制造基地项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，旨在打造世界一流的半导体产业基地。
据悉，项目全部建成将可形成月产芯片30万片。
128层3D NAND获突破
2019年长江存储128层3D NAND Flash已经取得重大突破，目前正在改进良率中，预期2020年投产。
未来规划
长江存储武汉厂目前的产能约月产能2万片，预计到2020年四季度会达到月产能5万片。
紫光成都厂按计划2020年第三季度投产，到2020年四季度月产能可爬升到1到2万片。
按照计划，2019年顺利量产64层3D NAND Flash之后，长江存储会跳过96层堆叠直接杀向128层堆叠，而据悉128层3D NAND Flash也已经取得重大突破，这也意味着，2020年长江存储将要进行128层3D NAND Flash的量产。
3、晋华集成
据悉，晋华工厂有200余台设备，原计划2018年底试产。
然而，由于福建晋华和美光之间的诉讼，美国当地时间2018年10月29日，美国将福建晋华列入了出口管制的实体清单。
随后，联电也宣布暂停为福建晋华提供研发协助。
至此福建晋华的DRAM几乎陷入停滞。
但是2019年以来，笔者在多个场合见到晋华集成副总经理徐征，虽然并未透露任何有关晋华的信息，但其代表晋华公开现身，应该表明“晋华仍在运转当中”。
