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他还说道：“我们通常讨论兆位每秒或吉比特每秒的无线数据传输速率，但是现在我们正接近利用简单的单一通信通道实现太比特每秒的传输速率。” 接下来，广岛大学、日本国家信息与通信研究所以及松下电器的研究小组计划进一步研发 300GHz 的超高速无线电路。
把视线拉回到国内半导体圈，以下几起焦点事件也引起了业界的热议。
Global Foundries“变身” 格芯，12 寸晶圆厂落地成都
在本周五上午，全球第二大晶圆厂 Global Foundries 在成都高新区正式宣布，将携手成都市成立合资公司——格芯（成都）集成电路制造有限公司，并在成都建立全新的合资晶圆厂。
据雷锋网了解，格芯成都是中国最大的 12 寸晶圆厂，投资规模累计超过 100 亿美元，预计年产量将达到 100 万片。按照其官方的计划，第一期建设 CMOS 工艺产线，主要为 180nm 和 130nm，引自新加坡技术，产能每月 2 万片，预计 2018 年底投产；第二期 22FDX，引自德国技术，产能每月 6.5 万片，2019 年下半年投产。这样算下来，一期二期完成后，总产能将达到 8.5 万片 / 月。
众所周知，晶圆尺寸越大，单一晶圆片上可生产的 IC 芯片就越多，但对材料技术和生产技术的要求更高，目前的晶圆尺寸有 4 英寸、5 英寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸甚至更大的规格，而 12 英寸可以说是当下最最主流的尺寸，根据市场研究机构 IC Insights 的最新报告，到 2020 年 12 英寸晶圆的比例将达到 68%。
值得一提的是，Global Foundries 还宣布，未来在中国市场将启用全新的名字——格芯，而放弃了此前大家所熟知的格罗方德。
格芯首席执行官 Sanjay Jha 表示：“为满足全球客户群的需求，我们将不断在产能和技术上进行投资。从应用于无线互联设备的世界顶级 RF-SOI 平台，到占据科技前沿的 FD-SOI 和 FinFET 工艺路线图，这些均见证了市场对于我们主流工艺和先进工艺技术的强劲需求。新投资将有助格芯扩张现有的晶圆制造厂。通过此次在成都的合作计划，我们将稳固，并进一步加速在中国市场的发展。”
格芯此前曾公布了一组数据：22nm FD-SOI 工艺功耗比 28nmHKMG 降低了 70%，芯片面积比 28nmBulk 缩小了 20%，光刻层比 FinFET 工艺减少接近 50%，芯片成本比 16/14nm FinFET 低了 20%。如果该数据属实，那么 22nm FD-SOI 的性能甚至可以与 14/16nm FinFET 持平，而芯片的成本却与 28nm 相当。
半导体资深人士莫大康也曾表示，相比 FinFET，FD-SOI 根据功耗和综合成本优势，其产品广泛应用于移动终端、物联网、智能设备、汽车电子等领域，发展 FD-SOI 制程工艺是中国集成电路追赶国际先进水平的机会。
先进半导体人事变动：武汉新芯前 COO 洪沨担任 CEO
国内半导体制造商——上海先进半导体制造股份有限公司日前发布公告表示，武汉新芯前 COO 洪沨博士将加入该公司，并担任 CEO 一职。
据了解，先进半导体已经洪与洪沨签订了合同，合同期限为 2017 年 2 月 6 日至 2020 年 2 月 5 日。根据该合同，洪沨的年薪为 2,112,768 元人民币。根据先进半导体的公告，洪沨担任公司 CEO 一职后，公司副总裁周卫平将不再负责总裁职权。
先进半导体的前身为 1988 年由中荷合资成立的上海飞利浦半导体公司，该公司 1995 年易名为上海先进半导体制造有限公司，2004 年才改制为上海先进半导体制造股份有限公司。根据其官方的介绍，这家本土半导体制造商拥有 5 英寸、6 英寸、8 英寸晶圆生产线和 MEMS 独立生产线各一条，专注于模拟电路、功率器件和 MEMS 芯片的制造，年生产大规模集成电路芯片近 80 万片。
洪沨于 1983 年获得复旦大学物理学士学位，于 1986 年获得复旦大学电子工程硕士学位，于 1993 年获得美国北卡罗莱纳州立大学材料科学与工程博士学位，此后，他供职于多家国内外半导体厂商。
