GaN Systems GS61004B GaN HEMT
——逆向分析报告
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了解GaN Systems嵌入式芯片封装的氮化镓（GaN）晶体管
据麦姆斯咨询报道，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）市场极具诱惑力，因此越来越多的厂商加入该领域，这也驱动相关产品价格下降，并使得GaN器件成为目前常用的硅基功率开关晶体管（如MOSFET和IGBT）的竞争产品。
低压GaN领域的主要厂商仅有两家：EPC和GaN Systems，其主要原因是使用低损耗标准封装的复杂性。GaN Systems希望与低压HEMT市场的领导者EPC展开竞争。本报告对GaN Systems氮化镓HEMT：GS61004B进行逆向分析，该器件是其100V驱动的最新产品，并针对AC-DC转换器和功率转换做了优化。
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GS61004B封装信息
GS61004B是一款采用GaNPX嵌入式芯片封装的硅上氮化镓HEMT晶体管。这种嵌入式芯片封装在市场上是独一无二的，可提供大电流处理、极低的电感和卓越的散热性能。GS61004B芯片尺寸约为4平方毫米，可以承载45A电流——即超过10A/平方毫米，几乎比竞争对手高出3倍。
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GS61004B横截面剖析（样刊模糊化）
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HEMT芯片分析（样刊模糊化）
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GaN晶体管部分制造工艺流程
GS61004B采用AT&S开发的创新型嵌入式芯片封装技术，该封装没有引线键合，可减少电感，其设计增加了热量管理，因此有助于增强散热性能，简化工艺以缩短制造时间，并降低成本。
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GS61004B部分封装工艺流程
除了完整的拆解分析，本报告还提供外延和封装的生产成本预估。最后，本报告还比较了GaN Systems与EPC的100V HEMT产品和技术，以及100V硅上氮化镓（GaN-on-Si）和硅基MOSFET之间的差异。
报告目录：
Overview / Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology
Company Profile
• GaN Systems
• Products
Physical Analysis
• Summary of the PhysicalAnalysis
• Package Analysis
- Package opening
- Package cross-section
• HEMT Die
- HEMT die view and dimensions
- HEMT die process
- HEMT die cross-section
- HEMT die process characteristics
Transistor Manufacturing Process
• HEMT Die Front-End Process
• HEMT Die Fabrication Unit
• Final Test and Packaging Fabrication Unit
Cost Analysis
• Cost Analysis - Summary
• Yields Explanation and Hypotheses
• HEMT Die
- HEMT front-end cost
- HEMT die probe test, thinning and dicing
- HEMT wafer cost
- HEMT die cost
• Complete Device
- Packaging cost
- Final test cost
Price Analysis
• Estimated Sales Price
Comparison
• Comparison of GaN Systems’ Devices
• Comparison of GaN Systems and EPC 100V HEMT
• Comparison between 100V GaN-on-Si and Si MOSFET
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相关报告：
《硅上氮化镓（GaN-on-Silicon）晶体管对比分析-2018版》
《GaN Systems 650V硅基GaN高迁移率晶体管：GS66508P》
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