GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家

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而在手机功率放大器部分，目前2G是以互补式金属氧化物半导体(CMOS)制程为主，3G、4G则是砷化镓制程，5G因为高频的关系，络达十分看好氮化镓制程，该技术同时还能让电压撑得更久。

林珩之分析，未来5G时代，手机功率放大器采用的半导体制程，预估将会是砷化镓/氮化镓占一半、CMOS占一半。 小于6GHz频段的半导体技术，会是以砷化镓与氮化镓制程为主，因天线与电磁波的波长是成正比的，且高频的天线比较大，也就须采用高功率的技术来达成，因此很有机会变成砷化镓与氮化镓制程的天下。

林珩之进一步指出，氮化镓制程有办法支撑很高的功率，这是CMOS无法做到的。 除非5G技术有办法运用小功率在空中进行融合，CMOS制程才会有机会涵盖到这部分的市场。 但在5G mmWave频段，则会是以CMOS制程为主。 林珩之进一步表示，因mmWave频段采用的天线比较小，就会是以CMOS制程为主，像是CPU、GPU、ASIC等，该制程与化合物半导体很不相同，价格会比砷化镓/氮化镓制程来得低。

此外，CMOS制程的应用领域也比较宽广，目前在交换器(Switch)上便使用得相当广泛，而采用氮化镓制程的交换器就比较难做，因其是属于双极性接面型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)。 物联网这类以价格为主要驱动的应用，由于对功率的要求比较低，也会是CMOS制程所能发挥的地方。

GaN 在射频应用中脱颖而出的三大原因

镓 (Ga) 是一种化学元素，原子序数为 31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。

GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构（如下图所示）呈六方形，通过两个晶格常数（图中标记为 a 和 c）来表征。

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