诺基亚携三菱电机等开发全球首个超快GaN包络追踪功率放大器

合作各方预计将在2017年6月4日至9日在美国夏威夷檀香山举行的IEEE MTT国际微波研讨会（IMS）期间介绍具体的技术细节。

为了满足不断增长的无线容量需求，移动技术正逐步转向使用复杂调制信号的下一代系统，这种系统具有较大的峰均功率比（PAPR）和超宽调制带宽。

这将需要功率放大器大部分时间在远低于其饱和水平的支撑电力准位下运行。通常情况下，功率放大器在饱和功率水平左右实现高效率；但是在4G LTE *信号（> 6dB PAPR）的情况下，支撑电力准位的效率显著降低。

行业目前已经对包络追踪功率放大器进行了广泛研究，以提高功率放大器的效率；但是到目前为止，电源调制器电路已经成为限制高级无线通信（如LTE-Advanced）的调制带宽的瓶颈。

新开发的超快速GaN包络追踪功率放大器实现了最先进的性能，部分归因于三菱电机的高频GaN晶体管技术和GaN电源调制器电路的创新设计。

使用诺基亚贝尔实验室的实时数字预失真（DPD）系统，即使采用80MHz调制LTE信号，该功率放大器也显示出了较高的运行效率，这是截至2017年5月19日，全球最宽的调制带宽。