透射电子显微镜(TEM)图像显示金纳米球均匀分散在碳黑表面。X射线衍射(XRD)结果显示,Au均呈现面心立方(fcc)晶体结构,在38.2°、44.4°、64.6°和77.6°处有明显的衍射峰,对应于(111)、(200)、(220) 和 (311) 面。在配体修饰前后,催化剂的形貌、晶相以及尺寸分布没有明显变化。Pristine-Au/C的 Au 4f 谱的 X 射线光电子能谱 (XPS) 在 84.4 和 88.1 eV 处表现出两个不同的峰,分别对应于Au的4f7/2和4f5/2。而配体修饰后的催化剂的 Au 4f7/2 XPS 峰向高结合能偏移了约 0.05 eV,这表明Au和S之间存在电子相互作用。其中,para-Au/C的Au-S相互作用最强。此外,配体修饰的Au/C在164和165 eV附近的两个峰分别对应于 S 2p3/2 和 S 2p1/2,表明了巯基苯甲酸成功修饰在催化剂表面。
图2. Au/C催化剂的结构表征
为了评估Au/C催化剂的催化性能,我们测量了不同电位下的产氨偏电流密度、法拉第效率以及产氨速率。与pristine Au/C相比,修饰后的Au/C 催化剂电流密度和法拉第效率有显著提高。其中para-Au/C在 -1.0 V vs. RHE 的电位下的偏电流密度达到 472.2 mA cm-2,法拉第效率高达 98.7%。并且在该电位下,产氨速率最高达到了39.7 mg h-1 cm-2,是pristine Au/C的1.7倍。机理研究表明修饰后的金催化剂表面对硝酸根的吸附更强,加速了硝酸根还原动力学,从而提升了产氨性能。
图3. Au/C电还原硝酸根性能测试
总结/展望
在这项工作中,我们开发了一种简单的巯基配体修饰方法,以提高金催化剂的硝酸根电还原合成氨性能。在三种巯基苯甲酸异构体修饰后的金催化剂中,para-Au/C具有最强催化活性。在-1.0 V vs. RHE的电位下实现了472.2 mA cm-2的产氨偏电流密度,法拉第效率高达98.7%,产氨速率最高达到了39.7 mg h-1 cm-2。机理分析表明巯基苯甲酸促进了硝酸根在金催化剂表面的吸附,从而加速了硝酸根还原动力学,提高了Au/C催化剂的本征活性。这项工作提供了一种简单、有效的化学修饰策略,用于提高贵金属基电催化剂硝酸根还原合成氨的催化性能。