尹志尧下战书：10年，中微覆盖60%半导体高端设备！

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在集成电路方面，中微公司的等离子体刻蚀设备已成功打入国内外一线客户的生产线，广泛应用于 65 纳米到 5 纳米及更先进工艺，成为支撑集成电路制造的关键力量。在泛半导体领域，其制造氮化镓基发光二极管、Mini-LED 和 Micro-LED 的 MOCVD 设备，以及制造碳化硅和氮化镓功率器件的 MOCVD 设备，均已在市场中占据重要地位。并且，公司还前瞻性地布局光学和电子束量检测设备等新兴领域，不断拓宽业务边界。

为强化产业协同，中微公司自上市以来， 斥资 20 多亿元投资约 40 家产业链上下游企业，不仅收获了超 50 亿元的浮盈 ，更在产业协同上成果显著，其中 8 家参股公司已成功登陆 A 股，实现互利共赢。

二、研发提速，18个月可完成新产品研发

谈及研发效率的提升，尹志尧感慨道：“经过 20 多年的努力，公司已组建了超过千人的研发团队，并且十分全面。十年前，我们一般需要三到五年开发一个新产品，然后再花两年时间进入市场。比如，MOCVD 从 2010 年开始研发，2017 年才进入市场。而现在， 我们只需要大约 18 个月，最多两年就能完成新品研发 ，半年到一年就可以量产并进入市场。”

研发投入也在持续攀升。2024 年，公司研发总投入达 24.52 亿元，同比增长 94.31%，占营收比例约为 27%。今年一季度，研发投入同比增长 90.53%，达到 6.87 亿元。

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