元器件失效分析方法

正文

请到「今天看啥」查看全文

电应力

静电、过电、噪声

MOS器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、功率晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应

热应力

高温储存

金属－半导体接触的Al－Si互溶，欧姆接触退化，pn结漏电、Au-Al键合失效

低温应力

低温储存

芯片断裂

低温电应力

低温工作

热载流子注入

高低温应力

高低温循环

芯片断裂、芯片粘接失效

热电应力

高温工作

金属电迁移、欧姆接触退化

机械应力

振动、冲击、加速度

芯片断裂、引线断裂

辐射应力

X射线辐射、中子辐射

电参数变化、软错误、CMOS电路的闩锁效应

气候应力

高湿、盐雾

外引线腐蚀、金属化腐蚀、电参数漂移

2、电测并确定失效模式

电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。

连接性失效 包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电（ESD）和过电应力（EOS）引起。

请到「今天看啥」查看全文