苏州大学 | 有机半导体界面“伤口”分子修复技术

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： PFBT 与银形成 Ag-S 键，将电极功函数从 4.12 eV 提升至 5.14 eV ，使肖特基势垒高度降低 73.3% 。

填充陷阱 ：PFBT的富氟基团作为电子供体，通过电荷转移填充半导体能隙中的陷阱态，缓解费米能级钉扎。

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性能飞跃：数据说话

• 接触 电阻（ R _c ）：低至 79.7 Ω·cm ，比未修饰器件降低 16.5 倍！

• 迁移率（ μ ᵣ ）：平均可靠迁移率达 13.2 cm ² V ^-1 s ^-1 ，最高值 16.1 cm ² V ^-1 s ^-1 ，远超同类报道。

• 理想性（ r ）：平均可靠性因子高达 89% ，最高值接近 100% 理想值。

• 低功耗：阈值电压近乎零（ -0.47 V ），亚阈值摆幅低至 136 mV/dec ，可在 -5 V 超低电压下工作。

(a) SC-OTFT 的转移特性； (b) 对应的 SC-OTFT 输出特性； (c) 饱和迁移率随 V _GS 的变化； (d) SS 随 I _{DS的变化；} (e) 低 V _DS (-5 V) 下 SC-OTFT 的转移特性。

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为什么这项技术如此厉害？

1. “ 透明”接触 ： PFBT 分子嵌入 C ₈ -BTBT 的烷基链间，不影响单晶结构，同时不会额外增加通道电阻。

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