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据了解，全球主流光刻胶企业多为从集成电路产业发展早期就进入市场的有机感光材料企业。其中，JSR、TOK、住友化学、信越、陶氏化学作为行业领军企业，共占有全球约85%的光刻胶市场份额。伴随集成电路制造技术的发展，被广泛使用在12英寸晶圆制造的ArF光刻胶产品成为市场主流，有数字表明，ArF/ArF浸没式光刻胶产品拥有约50%的光刻胶市场份额。赛迪智库集成电路产业研究所给出的数据表明，2018年，全球适用于集成电路市场的光刻胶和配套试剂市场规模分别为15.7亿美元和20.4亿美元。
据业内专家介绍，通过双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术能够用193nm的激光完成7nm工艺的光刻。为了实现7nm及以下制程，EUV(13.5nm)光刻技术浮出水面。目前，台积电、三星都已经开始布局。EUV光刻光路不同于上一代的折射，它所需光刻胶主要以无机光刻胶为主。北京科华微电子材料有限公司董事长陈昕在接受《中国电子报》记者采访时表示，她刚刚参加了一年一度在硅谷举行的“国际光学工程学会举办的先进光刻技术会议”，她告诉记者：“对于光刻胶，国际上对EUV光刻胶的研究与开发从未间断过。在这次会议上听到EUV技术将在今年上线。而实际上，台积电和三星去年就有试产线运行了，所以说，光刻胶配合光刻技术的发展正在进入EUV(13.6nm)时代。应该说，无论在理论上还是在工艺的应用上，都将发生革命性的变化。”
