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我国科学家突破硅基闪存器件尺寸极限!

材料科学与工程  · 公众号  ·  · 2024-08-14 18:45

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这一良率高于国际半导体技术路线图对闪存制造89.5%的良率要求。


同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。 该器件是目前国际最短沟道闪存器件,突破了硅基闪存物理尺寸极限,约15纳米。 在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、10万次循环寿命和多态存储性能。


研究人员介绍, 此项研究工作将推动超快闪存技术的产业化应用。


来源:科技日报。

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