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芯片介质刻蚀设备、硅通孔刻蚀设备、MOCVD 设备是中微半导体三大产品，公司三大产品领域现在均已是该细分领域的世界前三名，并成功赢得海内外市场。
刻蚀和化学薄膜设备仅在集成电路前段就有 100 亿美元市场。根据半导体设备年会，2014 年中微半导体占大陆半导体设备出口额的 79%，2017年收入超1亿美金，2018年收入、利润维持高速成长。
中微半导体历史上已经接受过多次融资。
投资方包括国家半导体大基金（成立后首个投资企业）、上海创投引导基金、华登国际等全球，大陆专业半导体投资基金。
到2019年初，公司提交上市申请之前，根据发布的《海通证券、长江证券关于中微半导体设备（上海）股份有限公司辅导备案情况报告公示》，中微半导体注册资本4.81亿元。中微半导体持股5%以上股东包括上海创投20.02%、巽鑫投资19.39%、南昌智微6.37%、置都投资5.48%、中微亚洲5.15%。
中微半导体积极为IPO做准备。
根据证监会公布的《中微半导体设备（上海）股份有限公司辅导备案基本情况表》，公司已经在2019年1月8日与海通证券、长江证券签署辅导协议并进行辅导备案。
刻蚀设备与MOCVD设备行业国产设备逐步获得行业话语权
晶圆制造是半导体生产的必要环节，它是指利用二氧化硅作为原材料制作单晶硅硅片的过程。在晶圆制造众多环节中薄膜沉积、光刻和刻蚀是三个核心环节。
刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程，进而形成光刻定义的电路图形。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀。这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。在通常的CMOS工艺流程中，刻蚀都是在光刻工艺之后进行的。从这一点来看，刻蚀可以看成在硅片上复制所想要图形的最后主要图形转移工艺步骤。
干法刻蚀是刻蚀市场的主流，干法刻蚀根据被刻蚀的材料类型来分类，分为三种：金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。硅刻蚀作为晶体管层刻蚀，刻蚀选择比达到150：1，14nm下深宽比达到约30：1，难度最大。
