正文
本报告对盛思锐温湿度传感器SHT45进行物理分析，涉及器件拆解、芯片剖析及材料分析等。此外，本报告还拆解与剖析了与SHT45同类的三款国产温湿度传感器：纳芯微NSHT30、申矽凌CHT8320、中科银河芯GXHT31，并将它们进行对比分析。最后，我们检索并分析了四款产品专利情况。具体如下：
1. 对SHT45整体进行拍照与分析，其采用引线框架型DFN封装形式，内部的CMOSens®芯片粘接在引线框架的中心金属基板上，并通过金属引线键合方式与引线框架的外围焊盘形成电气连接，整个芯片和引线结构被环氧树脂模塑形成封装外壳。
2. 对SHT45进行化学开封并取出CMOSens®芯片，该芯片采用CMOS-MEMS技术，实现MEMS与ASIC单片集成。对传感（MEMS）部分和电路（ASIC）部分进行结构剖析和材料分析，包括传感部分的叉指电极、湿敏材料成分，以及电路部分的膜层结构和工艺节点等。
3. 对三家中国厂商（纳芯微、申矽凌、中科银河芯）的主流温湿度传感器进行物理分析，并对比它们的器件封装和芯片结构。与盛思锐SHT45的封装和芯片结构进行对比，包括传感部分的叉指电极、湿敏材料成分，以及电路部分的膜层结构和工艺节点等。
