正文
按照海外对标思路，元器件涨价下半年也需要重点关注。
在更看重业绩兑现的投资风格下，涨价驱动下的业绩改善具有确定性，并且海外标的往往在涨价潮下股价大幅攀升，具有较高的对标效应。目前来看，我们认为NOR Flash、被动元件在供需缺口下有较大的上涨空间：
（1）NOR Flash：行业转折期迎来发展新机遇，本周台股迎来普涨行情。
就NOR Flash而言，本身行业2016年就是“串行取代并行，汽车与工控取代消费电子”的拐点期，而AMOLED以及任天堂新一代掌机SWITCH销量大超预期都使得NOR Flash涨价“锦上添花”，预计相关标的2017Q2开始业绩全面反映涨价潮。行业向好下本周台湾标的亦迎来普涨行情，华邦电本周涨14.33%，旺宏涨22.30%，晶豪涨6.17%。建议投资者关注：
兆易创新
。
（2）被动元件：MLCC与粉体制备深度受益，涨价区间有望延续全年。
受到手机用量增多，汽车电子新增需求以及三星加强管控放缓扩产三大原因所致，MLCC等被动元件出现约5%的供需缺口，而由于消费电子占被动元件70%以上的市场份额，随着下半年消费电子旺季来临，被动元件的供需缺口有望进一步拉大。建议投资者积极关注：
风华高科
（MLCC龙头，收购台湾光颉科技40%的股权）、
国巨
（台湾被动元件龙头）、
艾华集团
（电容龙头）等；另外被动元器件产业链上游的
国瓷材料
（MLCC陶瓷粉占16年营收达34%，价量齐升）。
风险提示。
行业增速不及预期。
存储器
事件1.1：NAND Flash持续缺货，第一季淡季品牌商营收环比仅微幅衰退0.4%
DRAMeXchange指出，第一季整体NAND Flash市况延续第四季持续受到缺货影响，即使第一季度为传统NAND Flash淡季，渠道颗粒合约价却仍上扬约20-25%。尽管第一季为传统淡季，终端需求量较少，但因为供给产出量受制程切换影响而降低，市场供给仍相对吃紧，使得NAND Flash营收环比仅微幅衰退0.4%。
事件1.2：三星加大投资西安半导体工厂，2019年产能翻一倍
韩国三星电子将向生产最尖端半导体内存的中国工厂投资约10万亿韩元，计划到2019年将该工厂的产能提高至目前的2倍。
【海通电子观点】：
（1）闪存受益两方面的趋势出现供需失衡。
从需求端角度，云存储、手机等数据存储需求量快速上升，具体而言手机存储容量加大（iPhone 7最低存储高达32GB，相对iPhone 6的低容量多了一倍）以及数据中心HDDs向SSDs 的转换加大对NAND需求，从供给角度，由于进入1xnm后平面工艺不具备性价比优势，各大厂商向3D制程转换，导致供给收缩，最终供需结构出现失衡。目前闪存领域国内没有纯正标的（兆易创新募投2.04亿元用于NAND闪存开发，预计17H2或18年产生收入）。而存储器涨价下纯正标的是
兆易创新
， 17/18涨价贡献中性业绩弹性分别为（假设晶圆与NOR 17 年全年平均涨幅分别为18.75%与25%）2.24/1.43 亿元。
（2）在NAND市场景气周期下，三星加大投资具有市场博弈考量。
此前由于大陆政府条件优渥以及临近市场考虑，三星于2014年投资70亿美元建设西安厂，月产12万片，考虑新增产能，预计2019年三星西安厂的产能在20-24万片区间。考虑到三星西安厂产能2019年翻倍，总体NAND市场预计保持较长期景气。而三星此举（包括计划今年6月投产的韩国京畿道NAND新厂，月产能20万片）可能更多基于长远市场博弈考量，一方面位于第二梯队的东芝（市占率17Q1 16.50%）现在正处混乱之际，给竞争对手以机会，另一方面大陆存储新势力武汉新芯一期预计2018 年投产，月产能约 20 万片，目标2020 年30 万片/月、2030 年100 万片/月，处于龙头地位的三星陆续释放新的产能，也是为了在竞争对手进入市场前抢占有利的位置，巩固市场占有率。
（3）大陆存储投资目标是信息与经济安全，具有战略必须性，但是需考虑折旧成本与竞争对手策略行动。
存储器是国之重器，产值占到半导体总产值的20%以上，倘若要实现芯片自主化，存储器是必须攻克的一环，因此国内发展存储器具有战略必须性，不全从盈利角度考量。但另一方面，武汉新芯，紫光南京与福建晋华三大国内存储势力面对的不仅是技术压力，成本压力同样巨大。目前新建一座月产4万片DRAM厂所需投资50亿美元，除了投建成本，由于折旧，新设备生产成本是成熟DRAM厂的1.6倍之多（台厂生产一颗DRAM 成本1.2美元，而新设备下超2美元。）因此，大陆存储器投资需考虑竞争对手策略行动与折旧成本压力，有序进行。
