第二届全国宽禁带半导体学术会议开幕在即 日程抢先看

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氮化镓(GaN)以及碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料技术及应用正在成为全球半导体产业新的战略高地，被认为或将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。从会议设置来看，开幕大会特邀南京大学电子科学与工程学院郑有炓院士、浙江大学盛况教授、中科院物理所研究员陈小龙、厦门大学康俊勇教授，中国电子科技集团公司第十三研究所蔡树军所长做特邀报告；闭幕大会还特邀了浙江大学叶志镇教授、华南理工大学彭俊彪教授、山东大学晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员、香港科技大学陈敬教授从不同研究领域分享前沿研究。

除了开闭幕大会以外，还设置5个分会场，围绕材料生长、材料物性表征及仿真、LED及照明技术电力电子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它宽禁带半导体材料与器件等不同主题进行深入探讨。从分会报告内容来看，围绕第三代半导体的前沿发展、技术应用、产业化等多个维度都将有重量级的报告呈现。既有宽禁带半导体的发展新动向，亦有碳化硅、氮化镓材料，以及器件等的最新研究进展及发展方向，将以开阔的视野展现宽禁带半导体领域的现在与未来，非常令人期待。

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