性能提升40%！研究人员在DUV LED领域获得重大突破

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深紫外（ DUV）发光二极管（LED） 研究领域 长期存在的 一个 难题 。样品测试结果显示，他们 实现了在 30 安培每平方厘米 的驱动 电流密度下 ， 工作电压低至 5.8 伏特的创纪录水平， 与此同时，该深紫外发光器件的 光输出功率（ LOP ， Light Output Power ）提高了 40%。

该研究团队表示，这一成果的实现主要得益于他们使用了一种极化处理的氮化铝镓 异质结构 ，它能够很好地 改善 器件中 载流子 的 隧穿和电流扩散， 这也 标志着 学术界 在开发杀菌、传感和医疗 用 高效深紫外光源 的开发 方面迈出了重要 的 一步。

这项研究的负责人 Shengjun Zhou表示：“通过减小器件隧穿结的厚度，并对中间层中的铝含量进行策略性调控，我们成功实现了垂直隧穿效率和电流扩散两个指标的双重优化。这里，我们再异质界面处增加的极化电场最终让耗尽区变窄，与传统超薄隧穿结（

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