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不论从产能的增加，或产品的可靠性而言，2016年普及的1xnm几乎已经到极限了，即便制程还能继续微缩下去，产品的寿命表现也会劣化到无法被客户接受的程度，所以在这个时间点去升级制程已经相对不划算。
面对产能提高，但产品寿命缩短，或者重视产品寿命，但产能有限的两难问题，业界找出的解答，就是「多叠几层」。这次不用传统的平面制程设计，而是利用立体堆叠的方式，在同一片矽晶圆上用多道光罩，重复蚀刻、堆叠出立体结构的NAND芯片，叠越多层容量就越大，叠越多层，单位容量的成本就越低，而且制程本身从1xnm回归到3xnm，确保了绝缘层厚度足够，产品寿命在可接受范围内，如此，就连薄命的QLC也能有接近于TLC的寿命表现，制程虽退回两代，但是堆叠64层可带来将近三倍的容量成长，未来QLC又可带来相较于TLC达25％的容量成长，总产出容量仍可望大增(图4) 。
图4 2019年将会全部转为3D NAND
资料来源：Tom's Hardware
立体制程转换遇难低良率导致产能缺口扩大
理想很丰满，现实很骨感。立体堆叠的制造方式虽可倍数增加容量，但良率很难突破，几十层里面有个几层被污染，或蚀刻过程出错，可能大半片晶圆就报销了。
转换的过程虽极为痛苦，但对产能的增加有立竿见影之效，所以三星、东芝、海力士、美光这些一线厂商都一股脑的投入立体制程的3D NAND制造，包含大陆记忆体厂商，如紫光集团和武汉新芯合并成立的长江存储，目标也是指向基于立体制程的3D NAND制造(图5)。
图5各NAND大厂的3D制程布局
资料来源：TechInsight
3D NAND的制程越多层良率越低是避免不了的宿命，根据调研机构IHS的评估，目前主流的48到64层良率都不到过去平面NAND的一半，2016年32~48层的制程转换不顺，是导致2016下半年到2017上半年大缺货的根本原因。
因为良率不足，只能尽量将产能利用率填满，才有办法满足客户订单，原本记忆体厂商的产能利用率平均大概在八到九成左右，如今几乎都满载。而这也是导致2017年矽晶圆缺货涨价的原因之一。
3D军备竞赛起飞将带动报价下滑
立体堆叠制程和过去的制程微缩一样，都是做了就回不了头，而且很快就会迈入军备竞赛般，举例来说，三星64层第二季刚搞定，2018年初马上就要上96层，接下来128层也会跟着上阵，除三星外各家也都积极转换更多层的制程，哪家先搞定更多层的立体制程，谁就能抢先在市场上获取更好的产品利润，而从整个业界的资本支出来看，应用材料曾公布一个资料，2017年以NAND为主的快闪记忆体相关投资额将高达236亿美元，比2016年增加了24％，且占整个半导体业界2017年资本支出预估总额766亿美元近三成。
目前3D堆叠良率虽低，但产线转换的脚步还是不停，各家存储厂商不论是既有产线的调整，或者是新增加的产线，用来制造3D NAND的产线不断增加， 2D NAND产线的占比逐年降低(图6)。
图6 2D NAND与32层3D NAND的容量与成本比较
资料来源：Objective Analysis
根据DRAMeXchange的预估，2017下半年各记忆体大厂先后投入64层的3D NAND量产，只要能够维持一定的良率，产能就能大幅成长，2017年底3D NAND的容量产出占整体NAND的总产出容量将可达七成左右，将可有效改善NAND的供货状况。
因此，Gartner预估下半年NAND Flash报价就会开始上涨进入稳定持平的阶段，2017年底到2018年初相关的报价将有明显的修正。
供应商停产小容量产品造成NOR缺口
NOR Flash主要是用在各种PC板卡、智能家电、网路终端等产品中，近来也打进汽车产业与移动产品，汽车电子常见的娱乐中控台就大规模采用NOR来储存系统程序，如手机所使用的AMOLED面板也需要整合NOR进去作为颜色的记忆补偿之用。根据iSuppli统计，过去几年NOR的产值都稳定在20亿美元左右，2017年供给虽减少，但得益于报价的上涨，预估将持平。
以应用来看，过去NAND对NOR有一部份的取代作用，在一些低可靠性的电子产品NOR的需求有被排挤的现象，但是在高可靠性的产品，比如说汽车电子所需要的韧体、程序存储必须要放在可靠性很高的存储媒体当中，NAND若使用SLC，可靠性虽不错，但成本高，相较之下，NOR可在较低成本拥有更好的可靠性(图7 )。
