正文
碳化硅半导体外延晶片（SiC Epitaxial Wafer）是碳化硅（SiC）半导体器件的核心基础材料，由碳化硅单晶衬底和作为基底材料，提供晶体结构和电学性能的基础，在衬底表面通过气相沉积（如MOCVD）生长的薄膜层，厚度通常为几十微米。
2-2分类介绍
2-3 市场规模及增速
碳化硅外延晶片市场由新能源汽车和光伏驱动高速增长，技术迭代聚焦高频、高压器件，未来7年CAGR超25%，中国市场增速领先。
2-4 碳化硅半导体外延晶片的发展阶段
碳化硅外延芯片当前处于高速成长期（爆发期），核心驱动因素为新能源汽车、光伏需求爆发及技术工艺突破。碳化硅外延技术已成熟，专利年增长率低于30%，研发占比下降（头部企业研发费用占比约15-20%）。
同时，碳化硅在新能源汽车、光伏领域已实现规模化商用，客户教育成本显著降低。并且行业标准尚未完全统一（如车规级认证标准仍在完善）。
2-5 碳化硅半导体外延晶片赛道的关键驱动因素
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上游产业链剖析
3-1上游是什么
3-2上游的主攻任务及难点
3-3与国际的发展水平差异
3-4上游各环节的毛利率水平
3-5地位是否强势
国际强势领域：衬底制造（Wolfspeed垄断8英寸技术）；外延设备（Veeco/Aixtron控制高端市场）；高纯气体（日本昭和电工、美国Entegris垄断9N以上特气）。
国内弱势领域：晶圆加工（超薄切割设备依赖日本DISCO）；技术研发（专利壁垒高，车规级标准缺失）。
局部突破领域：国产设备（中微MOCVD设备毛利提升至28%）；普通材料（光刻胶、SiNx钝化膜国产化率超50%）。
3-6:主要代表玩家
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