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^4- 框架中引入强键合分子来扩展3D CsPbI _3-x Br _x 晶格，从而引入宽带隙势垒。这种策略 产生了明亮高效的纯红色像素，具有24,600 cd m ² 的高亮度 、24.2%的最大外部量子效率和低效率滚降，在22,670 cd m ² 的高亮度下保持10.5%的外部量子效率。

技术方案：

1、揭示了纯红像素发光二极管的效率衰减机制

作者通过EETA技术发现，CsPbI _3-x Br _x PeLEDs效率下降的主要原因是空穴泄漏到PO-T2T层，而非电子泄漏。

2、设计并表征了晶内三维钙钛矿异质结构

作者提出通过引入PTLA分子构建异质结构来减少空穴泄漏，成功构建了异质结构，经XRD、GIWAXS、TEM和STEM等证实，显著增强了载流子限制。

3、证实了异质结构设计有效减少了空穴泄漏

作者通过超快瞬态吸收（TA）和光致发光（PL）测量，验证了异质结构界面的高效载流子转移，表明异质结构显著减少了空穴泄漏，提升了器件性能。

4、表明异质结构设计显著提升了纯红色PeLED的性能和稳定性

基于异质结构膜的纯红色PeLED表现出24.2%的峰值EQE和优异的效率下降抑制，平均T ₅₀ 在100 cd/m²下可达127小时，且滞后现象较少。

技术优势：

1、 首次揭示了纯红色钙钛矿LED效率下降的机制

作者通过电激发瞬态吸收光谱技术，首次发现PeLEDs效率下降的主要原因是空穴泄漏，而非之前研究中常见的电子泄漏。这一发现突破了对钙钛矿LED效率下降机制的传统认知，为针对性解决效率问题提供了新的方向。

2、首次报道了使用3D CsPbI _3-x Br _x 发射器实现明亮且高效的纯红色像素

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