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西安电子科技大学等在纳米线光电探测器方面取得进展,助力仿生视觉应用

MEMS  · 公众号  ·  · 2025-05-29 07:00

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图1 人眼在不同光照条件下的适应示意图
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图2 准一维半导体 Nb₃Se₁₂I的结构和组成性质的表征
研究人员 通过复杂的无掩模光刻技术制造了 Nb₃Se₁₂I 纳米线的场效应晶体管器件(如图3a)。随后,研究人员对Nb₃Se₁₂I纳米线的场效应晶体管器件的特性及光电性能进行了测试,相关结果如图3所示。结果显示, 基于 Nb₃Se₁₂I的光电探测器产生的光电流主要归因于 光热电效应, 光热电光电探测器具有独特能力,能够在环境温度下促进自供电的超宽带探测。
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图3 Nb₃Se₁₂I纳米线的场效应晶体管器件的电学和光电特性






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