ISSCC 2020 前瞻 （AI/Sensor/THz）

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这里特别想highlight 15.3：一个在7nm FinFET工艺上实现的351TOPS/W and 372GOPS 的超高能效SRAM存算一体IP，亮点是其作者均来自TSMC。基于模拟电路的存算一体一直被认为是学术圈的小打小闹，但是这回TSMC出手了，并且实现了多比特精度（小道消息说是4比特精度）。正如上一篇矽说《 模拟运算会不会占领未来AI SoC的高地？ 》所预言，可能这次真的模拟要来革数字的命了么？

当然其他设计，如清华大学基于阻变存储器的MAC摩阔

传感器，和世界对话的新桥梁

除了AI，Sensor也是今年的重头戏。

在经历2019年温度传感器的萧条（只有两篇）后，2020的Temperature Sensor再次井喷。几乎整个Analog Technology都是温度传感器或者含温度传感器的多sensor芯片。

另外值得被关注的是一类新型传感器——飞行时间传感器（Time-of-flight, TOF）。ToF传感器是通过检测发出光脉冲与接受光脉冲的时间差，实现对于深度的阵列型深度传感器，未来密度与图像传感器在接近的量级上，是实现RGBD传感器的重要器件。其实今年VLSI其实已经已经有TOF的专用session，ISSCC在此基础上进一步巩固，并且在多个session中均有涉猎（Session 5还直接是Image和ToF传感器的标题）：

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