抢占高地 且看超宽禁带半导体及其它新型半导体材料的最新进展

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其中， “超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”分会 作为论坛六大技术分会之一，将重点关注超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，聚焦超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新应用和新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。分会着重研讨超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用等内容，旨在搭建产业、学术、资本的高质量交流平台，共同探讨超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。

分会邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现超宽带半导体及其它新型宽禁带半导体材料与器件研究应用的最新迚展。其中，中科院微电子所教授、中国科学院院士刘明和厦门大学校长，南京大学教授张荣将联合坐镇担任分会主席。

其中，刘明院士长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。代表性成果包括：建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法，产生重要国际影响。拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理，为存储器产业发展提供关键理论和技术基础。她发表SCI收录论文250多篇，SCI他引（刘明或合作者均视为自引）超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。

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