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用人工智能改造智能手机

电子工程专辑  · 公众号  ·  · 2025-05-01 09:14

正文

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需要先进的器件


根据IDC的最新预测,到2028年,全球GenAI智能手机出货量预计将达到9.12亿部,占据70%的市场份额。该公司声称,2026年将是“最重要的一年”,因为中端设备有望采用GenAI。


芯片制造商正在通过使能技术满足这一需求,包括处理器、内存、电源器件和传感器,以满足这些AI智能手机所需的高性能。


例如,高通公司的骁龙8至尊版被该公司称为最强大、业界最快的移动SoC(图2)。该平台包括第二代高通Oryon CPU、高通Adreno GPU和增强型高通Hexagon NPU组合,可提供改变游戏规则的性能。该平台直接在设备端提供个性化、多模式GenAI,支持语音、文本和图像提示。


三星、华硕、小米、OPPO、vivo和荣耀发布的旗舰智能手机通过第三代骁龙8移动平台融入了GenAI,使其成为手机的大脑,并高效运行设备端GenAI应用。


Qualcomm’s Snapdragon 8 Elite mobile processor platform.


图2:高通骁龙8至尊版移动处理器平台支持设备端AI,包括多模式GenAI和个性化,支持语音、文本和图像提示。(来源:高通)


2024年,美光公司推出了其通用闪存(UFS)4.0移动解决方案的增强版,声称其UFS封装尺寸为9×13mm,是业界最紧凑的封装。该产品的容量高达1TB,小巧的外形可支持下一代智能手机设计,如可折叠和/或超薄手机。


美光UFS 4.0可提供高达4,300MB/s的连续读取速度和4,000MB/s的连续写入速度,是前几代产品的两倍。在这样的速度下,GenAI应用中的LLM加载速度可提升40%。


荣耀和三星正在其AI驱动的智能手机荣耀Magic6 Pro和三星Galaxy S24中利用美光的LPDDR5X内存和UFS 4.0移动闪存。


针对智能手机电池保护电路,美格纳半导体公司(Magnachip)推出了采用其专有超短沟道场效应晶体管(SSCFET)II技术设计的第八代MXT LV MOSFET。SSCFET II缩短了沟道长度,降低了稳态电阻。这种降低减少了功率损耗,缩短了智能手机的充电时间,并在快速充电模式下将智能手机的内部温度降低了约12%。


美格纳的12V MXT LV MOSFET针对高端智能手机(尤其是设备端AI智能手机)中的多种电池保护应用进行了优化。


传感器IC制造商将继续集成AI和飞行时间传感功能,而AR等功能则需要与各种应用程序和操作系统兼容的传感器。


例如,博世传感器公司(Bosch Sensortec)通过智能传感器和智能软件为智能手机和可听戴设备等消费电子产品提供始终在线技术。始终在线应用包括语音活动检测和关键字触发,以激活语音助手,以及智能手机中的自动方向感应,以调整模式并在不活动时进入睡眠模式。







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