【国金电子】英诺赛科：聚焦氮化镓的第三代半导体领军企业

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摘要

■ 投资逻辑

公司是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓（GaN-on-Si）研发与产业化的高新技术企业，采用IDM模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、封测于一体。公司产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的GaN功率器件，已在激光雷达、数据中心、5G 通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 照明驱动等应用与多家行业头部企业开展深度合作并实现量产。GaN 功率器件具有高频、低损耗和高性价比等优势，根据公司招股说明书，预计全球 GaN 功率器件市场将从 2024 年的 32 亿元增长至2028年的501亿元，CAGR=98.5%，而消费电子和电动汽车将成为两大主要应用场景。

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