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前沿 | 半导体所硅量子点发光机制研究取得新成果

悦智网  · 公众号  ·  · 2017-09-29 15:02

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中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员骆军委,使用现代纳米计算技术模拟真实的硅量子点,计算得到的吸收和发光光谱与最新发展的单量子点光谱技术得到的硅量子点光谱非常吻合,在系统分析了硅量子点电子结构随量子点大小变化后,发现处于高能硅直接带隙跃迁并没有随硅量子点的变小而显著发生红移,并最终导致硅量子点成为直接带隙发光,这推翻了Gregorkiewicz研究组认为的硅量子点可以成为直接带隙发光的发现,该研究将在全球范围内及时制止在该硅基发光方向进行无谓的研究。

研究成果近日在线发表在Nature Nanotechnology上,研究工作得到了国家自然科学基金委、中组部青年千人计划的支持。







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