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SK海力士、三星争当苹果供应商,关键在这项技术

半导体行业观察  · 公众号  · 半导体  · 2017-01-01 13:59

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半导体芯片过去以屏蔽罩方式阻断EMI,近来随着半导体芯片性能提高,渐走向个别芯片均需EMI遮蔽处理,如此可预防芯片间电磁干扰引发的异常动作,电路板也可设计得更加精密,芯片间距缩小后多出来的空间,可用于扩充电池容量,延长产品待机时间,然而增加新工艺将会提高主要芯片生产成本。

苹果相当早就尝试,从2012年9月推出的iPhone 5开始,就要求用于iPhone的NAND Flash封装,必须要有防电磁波干扰遮蔽技术。他们试过将iPhone里搭载的个别半导体一一进行封装后,试图增加EMI遮蔽工艺。由于三星电子无法满足苹果的规格要求,之后苹果便未采用三星电子生产的NAND Flash存储器,如今三星有意重启对苹果供应NAND Flash,这项技术能否实现至关重要。

2016年上市的Google Pixel手机,其无线区域网路芯片据说也采用EMI屏蔽处理,李弼秀认为,将个别半导体芯片进行EMI遮蔽的需求将会持续增加。

溅镀式和喷雾式有什么区别?

目前搭载于iPhone的NAND Flash封装是采LGA(Land Grid Array)。LGA是封装的底部有针脚的形式,因装配到印刷电路板(PCB)时,针脚与电路板的插孔紧密贴合,因此在EMI遮蔽工艺只需在上半部进行。所以截至目前为止,EMI遮蔽多采溅镀(Sputtering)方式,将超薄金属遮蔽材料覆盖表面。溅镀机是将材料利用物理方式,在目标表面选择性蒸镀1层均匀薄膜,但溅镀方式处理速度不快。

三星电子则认为,如果未来NAND Flash采用BGA(Ball Grid Array)形式封装,底部会呈现球状(Ball),若以溅镀方式进行EMI遮蔽,会产生许多空隙,不容易完整包覆。以喷雾式(Spray)工艺进行EMI遮蔽,能顺利将BGA的球状部分完整覆盖。由于内存多需大量供给,因此业者纷纷考虑改采喷雾式EMI遮蔽技术。







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