华东师范大学 Nat. Commun. ：首次完整揭示GeSe非常规面外（反）铁电机制

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图 1：GeSe 的结构和光学表征。 a , d. 沿着扶手椅（ a ）和之字形（ d ）方向的原子结构侧视图。 b , e. 沿[010]（扶手椅方向， b ）和[100]晶轴（之字形方向， e ）的 GeSe 的 HAADF-STEM 图像和相应的原子级 EDS 图（ c , f ）（其中扶手椅/之字形方向分别沿着 b/a 晶格矢量）， b , e. 中的插图是模拟的 HAADF-STEM 图像。刻度尺为 1 nm。 g. (00 l)表面的 XRD 图案。 h. 在 300 K 下，沿扶手椅（θ = 0）和之字形（θ = 90）方向，在平行（//）或交叉（⊥）几何形状下的线性偏振拉曼光谱。 i. 在 300 K 下，沿扶手椅和之字形方向的线性偏振透射光谱，以及作为插图的 Tauc 图。

图2：通过第一性原理计算得到的双层GeSe的本征OOP AFE。一个独立单层（ML）。 b. 独立 AB 堆叠双层。 c . 在（ b ）中的双层 GeSe 中的固定 A 层。 d. 在（ b

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