光刻胶是极紫外光刻机突破3纳米的最大绊脚石，全新材料开发已箭在弦上

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或原子层沉积 (ALD) 中制造，之后再以刻蚀工艺去除。

这样的 EUV 干式光刻胶的优点在于提升成像的敏感度、分辨率和 EUV 曝光的分辨率。

更重要的是，由此新技术改善每片 EUV 工艺晶圆的成本。 因为 EUV 设备正被全球半导体大厂引入大量生产中，促使推动半导体技术进入更先进的工艺。

Gottscho 强调， Lam Research 的干式光刻胶技术可以使用更低剂量的光刻胶，几乎是减少 5~10 倍的使用量，就达到更高分辨率，并扩大 process window，EUV 可以更为精准地刻画电路图形，同时为客户节省运营成本。

LAM Research 与 ASML，imec 的跨界技术结盟合作是历史久远。

荷兰设备大厂 ASML 是 EUV 光刻技术的龙头，LAM Research 的优势在于刻蚀和沉积工艺，imec 则是长期专注于研发技术的创新，三方合作有信心可以突破常规传统，发展出创新的技术，以延展 EUV 技术到更为先进的工艺例程上。

半导体业者则分析，传统的 CAR 光刻胶技术大概从 1980 年代的 248nm 曝光机就开始用了，主要的光刻胶涂布机供应商以日商为首的东电电子 TEL。

因此，这次 Lam Research 与 ASML 和 imec 研究出来的 EUV 干式光刻胶技术，可能与日本设备材料厂商形成两个阵营，冲破既有的半导体技术规则，为产业带来深远的改变。

根据调研机构芯思想研究院 （ChipInsights） 统计， 2019 年全球半导体设备商前 10 强（不含服务收入和部分材料）中，Lam Research 位居第四名，仅次于应用材料、ASML、东电电子 TEL。

Lam Research 的长板在于前端晶圆处理技术，包括薄膜沉积、等离子刻蚀、光阻去除、芯片清洗等前道工艺方案、后道晶圆级封装 （WLP） 等。 三大核心产品分别为刻蚀设备、沉积设备，以及去光阻和清洗设备。

国内也有半导体光刻胶的供应商，只是现有技术和市场份额距离国际水平仍非常远，比较为人所知的五家光刻胶供应商为北京科华、晶瑞、南大光电、容大感光、上海新阳等。

本文经授权转载自微信公众号“问芯”。

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