PRAM的复兴，会成为存储领域的一匹黑马吗？

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nTmR中T代表选择晶体管，R表示Resistor，存储位。RRAM器件转变成低阻态,即完成了写“1”的过程。

Crossbar公司，作为在RRAM领域的佼佼者，声称他们已经解决了漏电流的技术问题，并且已经将该技术量产。Crossbar公司成立于2010年，在2013年之前出于保密研发阶段，13年后杀入市场。迄今，他们已经筹集了超过 8000万美元 的融资，包括去年 3500万美元 的D轮融资，为他们积累了足够的信誉和资金，来加入这一竞赛。

在上个月的ARM TECHCON（ARM技术大会）上，Crossbar的营销副总裁Sylvain Dubois向笔者透露了Crossbar的可等比例缩小的RRAM方案的一些细节。

Sylvain说，到目前为止，大部分主流Foundry都拒绝集成RRAM，因为传统RRAM无法像半导体主流工艺一样等比例缩小。直到2014年IEDM会议上，Crossbar宣布了对sneakpath问题的解决方案，采用一种“场辅助线性阈值 (FAST)”的方法来大幅提高选择性。采用该方案，对一个4Mb的RRAM，商用温度范围内可靠工作1011周期条件下，可以将漏电流控制在0.1纳安以下。随着工艺特征尺寸减小，漏电流还可进一步减小。

下表中总结了ReRAM和目前主流Flash存储技术的部分性能比较：

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