复旦大学， Nature Electronics！

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pA μm ⁻ ¹的关断电流。

此外，研究人员还构建了具有高度一致性的二维晶体管阵列，并成功实现其在先进逻辑电路中的集成应用。该研究为未来超缩尺度电子器件的设计与制造提供了关键技术路径和理论依据。

研究亮点

（1）实验首次在二维半导体晶体管中实现了60 nm接触栅距（CPP）的全面缩小，成功将接触长度（Lc）与沟道长度（Lch）同时缩小至约30 nm，并将转移长度（LT）控制在30 nm以下。为了突破传统接触金属尺寸限制及其引发的电流聚集问题，研究人员首次引入金/钛/镍复合金属作为接触电极，实现了极限接触尺寸的形貌保持与低接触电阻兼顾。

（2）实验通过优化接触金属的沉积策略，利用镍的细小均匀晶粒结构和多金属协同效应，减小了接触电阻（Rc），有效抑制了电流聚集效应，实现了高性能晶体管的构建。

① 器件性能方面，该MoS₂晶体管展现出优异的电学特性，包括导通电流约为300 μA μm⁻¹、关断电流低至约1 pA μm⁻¹，以及超过10⁸的高开关比，性能超越现有等效硅技术。

② 批量制备方面，研究人员进一步构建了二维材料晶体管阵列，在关键性能指标如导通电流与阈值电压等方面表现出较低的器件间差异，表明工艺具有良好的均一性与稳定性。

③ 集成应用方面，这些极限缩小的二维器件被成功整合进先进逻辑电路中，验证了其在未来低功耗、高密度集成电子技术中的应用潜力。

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