正文
据主办方介绍，此次博览会在模式和内容上均有创新。首先，博览会打破传统“以展为主”的展会模式，用“以会带展”的国际化方式，以解决产业发展困境的多个论坛为主。其次，所有会议及论坛均采取“实际需求+双向选择”模式，即企业或者个人发布实际需求，并与参会人员进行双向选择，实现在投融资、市场、人才、商务、技术等方面的高效对接。第三，博览会还将国际顶尖“黑科技”带入此次活动，帮助国内企业与产业创新人才快速把握科技前沿发展趋势，预测未来技术发展走向，推动中国高科技产业技术的发展。最后，此次博览会将半导体应用层面也纳入进来，如人工智能、大数据、物联网、智能汽车与新能源汽车电子、消费电子等相关企业及技术，以展示半导体技术在各领域的广泛应用，使广大人民群众共享科技成果，提高全民科学素质。
今年，开发区围绕首都城市战略定位，着力打造“中国制造2025”国家示范区，计划实现包括集成电路在内的4个千亿级产业集群，并构建20个能够参与国际竞争的技术创新平台。北京经济技术开发区投资促进局局长王延卫表示，开发区计划每年培养20个发展潜力大、高成长、高科技的创新型企业，成为开发区的活力驱动力。
相关新闻
行业大咖畅谈半导体产业
北京市经济和信息化委员会电子处副处长李侃表示，半导体产业在构建国家产业核心竞争力、保障国家信息安全方面具有着重要意义。《国家集成电路产业发展推进纲要》及国家集成电路产业专项投资基金（大基金）的设立，为半导体产业发展提供了强有力的政策及资金支持。随着《中国制造2025》推进，新一代信息技术与制造业的深度融合，我国半导体产业将得到大力发展。
对于目前中国半导体产业发展的情况，李侃认为，中国已经成为全球半导体消费的中坚力量和增长引擎。然而，国内整体半导体产业发展水平与先进国家（地区）相比依然存在较大差距。核心技术缺失，持续创新能力缺乏；产业规模化不足，供需失衡；产业发展与市场需求脱节，产业链各环节缺乏协同以及投融资渠道单一，芯片制造企业融资难等仍然是制约当前我国半导体产业发展的主要因素，也是当前我国半导体产业面临的主要问题。此外，以北京、上海为代表的中国高新技术产业核心城市，半导体产业发展迅猛，产业链较为完善，应用端相关增长也呈爆发态势，沟通交流等需求已经扩展到泛半导体产业范围。综合以上两个方面，我国半导体产业已经迈入产业扩张与深入发展的并行阶段，高新技术产业核心城市在拓宽行业沟通广度及深度等方面需求紧迫，泛半导体产业链条急需一个综合性的、产业要素与服务内容完善的全球化沟通与合作的平台。
3.北大课题组：高性能二维半导体新材料展现出优异性能；
半导体材料是电子信息产业的基石。目前，随着晶体管特征尺寸的缩小，由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，主流硅基材料与CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正发展到10纳米工艺节点而很难提升，摩尔定律可能终结。
因此，开发新型高性能半导体沟道材料和新原理晶体管技术，是科学界和产业界近20年来的主流研究方向之一。在众多CMOS沟道材料体系中，相比于一维纳米线和碳纳米管，高迁移率二维半导体的器件加工与传统微电子工艺兼容更好，同时其超薄平面结构可有效抑制短沟道效应，被认为是构筑后硅时代纳电子器件和数字集成电路的理想沟道材料。
然而，现有二维材料体系（石墨烯、拓扑绝缘体、过渡金属硫族化合物、黑磷等）无法同时满足超高迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备的现实要求，开发符合要求的高性能二维半导体新材料体系迫在眉睫。
近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组与合作者首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se），在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。
彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋－轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。
经过材料的理论设计和数年的实验探索，该课题组发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积（CVD）法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（～0．8eV）、极小的电子有效质量（～0．14m0）和超高的电子迁移率。
