集成MOSFET的理想二极管的优势特性及参考选型

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增加背靠背 MOSFET 和控制电路 ， 集成式理想二极管 解决方案实现了更先进的功能，包括优先源选择、限流和浪涌限制，同时显著提升了电源管理的精密程度。传统上，这需要不同的控制器，导致实现全面的系统保护变得复杂且繁琐。但是，在理想的二极管解决方案中添加背靠背 MOSFET （图 2 ），通过启用一个或两个 MOSFET 的开启 / 关闭功能，或限制电流，就可实现全面的系统控制。

图 2 ：使用背靠背 MOSFET 实现高级功能和控制的理想二极管解决方案。（图片来源： Analog Devices, Inc. ）

集成式解决方案可针对常见系统故障提供强大的保护，从而减少系统停机时间。 可调欠压锁定 (UVLO) 和过压锁定 (OVLO) 阈值、可编程限流和热关断保护等功能确保系统即使在恶劣条件下也能保持正常工作。集成解决方案还有助于最大限度地减少所需元器件数量和电路板空间。

用集成 MOSFET 的解决方案取代传统肖特基二极管，可 显著降低功耗 ，使其成为工业电源、电池供电系统以及电信和数据中心应用中冗余电源 OR-ing 的理想之选。这种解决方案还能确保反向输入保护，防止意外极性反接造成损坏

选择理想二极管时面临的挑战

集成理想二极管解决方案旨在确保应用的可靠和高效运行。

但是，设计人员在选择理想二极管时会面临一系列挑战，包括 热管理、电流处理、额定电压、集成复杂性、成本和元器件供应 情况：

• 虽然理想二极管能降低功率耗散，但热管理仍然是一个重要的考虑因素。设计人员必须确保二极管能够承受热负荷而不影响性能。正确的散热和热设计对防止过热至关重要。

• 二极管的电流处理能力必须能够管理应用的预期电流负载，不会超出额定限制。这包括评估二极管的 RDS(ON) ，确保其在最大负载条件下保持在可接受的范围内。

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