普莱信Clip Bond封装整线设备，获功率半导体国际巨头海外工厂订单

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模块）性能提升的关键障碍。

Clip (Copper Lead-frame Interconnect Package ，铜带引线框架互连封装 ) 工艺应运而生，其核心创新在于摒弃易受限的金属线，采用扁平、宽厚的铜带（ Clip ）直接连接芯片（ Die ）顶部与外部引线框架或基板。这一结构性变革带来了颠覆性优势：

1. 电流承载能力跃升：铜带截面积远超金属线，显著降低电阻，提升电流承载能力（可达传统线键合的 5-10 倍），满足高功率模块的严苛需求。

2. 热阻大幅降低：铜带提供了高效、低热阻的散热路径，能快速将芯片产生的巨大热量传导至基板或散热器，极大提升器件可靠性和寿命。

3. 电感最小化：扁平互连结构比弧形金属线具有更低的寄生电感，提升器件在高频开关（尤其在 SiC/GaN 应用中）的性能和效率。

4. 封装体积优化：铜带结构紧凑，有助于实现更小型化、更高功率密度的模块设计。

正是这些不可替代的优势，使 Clip 工艺迅速成为大电流、高功率密度 IGBT 、 SiC MOSFET 模块封装的标准解决方案。

市场格局与设备挑战：效率、精度与成本

英飞凌（ Infineon ）、安森美（ ON Semiconductor ）、三菱电机（ Mitsubishi Electric ）、富士电机（ Fuji Electric ）、美台（ DIODES ）等国际巨头在高端功率模块市场占据主导，其 Clip 产线对设备的性能和稳定性要求极其苛刻。国内市场上斯达半导、比亚迪半导体、中车时代电气、华润微等中国厂商正加速布局高性能功率芯片，对具备量产能力的先进 Clip 封装设备需求迫切。面对大规模量产，市场对

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