正文
数据保持能力:
搭载
Floating Gate架构
QLC NAND Flash
,具备优异的数据保持能力,支持全生命周期的数据保存标准。相比Charge Trap架构,
Floating Gate技术在数据一致性与安全性方面表现更出色
,为关键数据保驾护航。
高存储密度:
在相同的物理空间内,该产品能够存储更多数据,
单盘容量可达8TB
,用更少的SSD数量满足AI PC大容量需求,从而
优化CPU总线接口
,平衡硬件数量,显著
降低PC设备AI化的成本
。
高性能读写:
顺序读写性能高达
7200MB/s
和
5600MB/s
,随机读写性能均高达
740K IOPS
,助力AI模型更快获取训练数据,
加速模型训练过程
。
高耐久度:
满足
3000 P/E擦写次数
,
耐久度远超常规QLC SSD
产品,可与TLC SSD相媲美,满足
AI PC、商用PC
整机对寿命和数据安全性的苛刻要求,为用户带来长效、稳定的存储体验。
自研固件与功能:
在PTM商业模式下,产品标配
APST、S.M.A.R.T
以及
TCG Pyrite 2.0加密
等功能。
软硬件定制:
同时支持更多
软硬件定制
,以适配具体的AI应用场景。
产品采用PCIe Gen4×4接口,相较于消费类BGA SSD,有着更高标准的可靠性,专为
智能汽车、工业电脑、三防加固平板电脑、智能网卡
等严苛应用场景设计,适配
小型化、高稳定性汽车/工业存储
需求。
高速读写性能:
顺序读写速度高达
7000MB/s
与
6500MB/s
,随机读写性能均高达
1000K IOPS
,能够快速处理大量数据。
宽温度范围:
工作温度范围在
-40℃~85℃之间,具备三档选择
,适应各种极端环境条件。
紧凑尺寸设计:
尺寸仅
16×20mm
,
1TB容量版本厚度压缩至1.33mm(max)
,在实现小尺寸的同时,保证高可靠性与高性能的平衡。
创新封测工艺:
依托苏州封测制造基地的
自有封测工艺
,实现
高度集成化设计
,
兼具嵌入式存储的小体积和PCIe Gen4 SSD的高性能。
高效散热解决方案:
采用
自主硬件设计
和
先进散热材料
,结合
热仿真计算优化热分布与传导性
,确保产品在高负载下稳定运行。
温度系统控制:
在自研固件算法中引入
温度系统控制(Thermal Throttling)功能
,有效管理温度,保障长期高速读写的稳定性。
软硬件定制:
同时支持更多
软硬件定制
,以适配具体的工业应用场景。