正文
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研究团队指出，制程成功微缩至1纳米就在于纳米碳管与二硫化钼（MoS 2 ）等材料的运用。1纳米大约是2～3个原子直径，而纳米碳管管壁管壁仅一个原子厚，早已被视为有望取代矽，借以提升晶体管性能、超越摩尔定律的关键材料。而常被作为引擎润滑油主要成分的二硫化钼（MoS 2 ）近年也被视为新兴材料广泛应用于纳米晶体管、LED、雷射与太阳能电池，也成了此次研究成功的重要关键要素。
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场效晶体管透过汲极、源极间电流的流动与闸极的控制形成0 或1 的数字讯号，而纳米制程所指的线宽就是闸极长度。电子透过矽的流动比二硫化钼更轻、阻力更小，这对闸极长度在5 纳米或线宽更长时是优点，但在5 纳米线宽以下，却会出现量子力学里所谓的量子穿隧效应，部分电子可能穿透闸极产生漏电流，甚至让晶体管整个无法关闭造成失控。但透过二硫化钼较硅来得重的特性，在较小线宽之下，还能有效控制电子流。
不过这一项研究仍在初步阶段，研究主持人同时也是加州大学柏克莱分校电子工程及电脑科学教授的Ali Javey 自己也指出，该实验尚未转移至芯片上、将其放大数十亿倍，但Ali Javey 认为，这是一个启发，摩尔定律不会只停在5 纳米，透过半导体新材料的应用与持续的研究，摩尔定律或将能延续下去。
这项研究同时也发表于6 日最新发行的《科学（Science）》期刊。
眼下，这一研究还停留在初级阶段，毕竟在14nm的制程下，一个模具上就有超过10亿个晶体管，而要将晶体管缩小到1nm，大规模量产的困难有些过于巨大。
不过，这一研究依然具有非常重要的指导意义，新材料的发现未来将大大提升电脑的计算能力。
延伸阅读：纳米制程是什么？
