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高通发布10nm骁龙835，华为麒麟960只称霸了一个月？

半导体行业观察 · 公众号 · 半导体 · 2016-11-18 08:40

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Qualcomm Technologies. Inc. 产品管理高级副总裁Keith Kressin表示：“我们非常高兴继续与三星合作，共同开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用，预计将使我们顶级系列的骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能，同时也让我们能够增加诸多全新功能，从而提升未来的移动终端用户体验。”

今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。

另外，消息表示骁龙835将支持全新的Quick Charge 4.0快充技术，最高功率可达28W，Quick Charge 4能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。通过Qualcomm Technologies的平行充电技术Dual Charge，与使用QC 3.0相比，用户可享受到高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，同时还集成了对USB Type-C和USB-PD的支持。