台积电A14官宣，AMD、苹果抢先搭载2nm工艺

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尽管移动设备仍是 N2的主要应用，但高性能计算（HPC）和人工智能（AI）客户正加速采用该节点，以满足能效需求。

N2P是N2的性能增强版，采用传统供电网络，性能比N2提升5%-10%，功耗降低5%-10%，适合无需密集供电网络的客户端应用。

据台积电称，A16 在很大程度上是支持背面供电的 N2P 技术，这将使芯片设计人员能够将 IP 重复用于不同的产品。对于不需要密集电源网络的客户端应用，N2P 可能是最佳解决方案，尤其是从成本角度来看。对于需要密集背面供电的客户，台积电将提供 A16。

N2P和A16两者均计划于2026年下半年量产，2027年上市。

台积电还将推出N2X，作为N2的终极版本，通过增强电压耐受性实现最高时钟频率，但功耗增加。该节点将用于高端客户端CPU和需要极致单线程性能的数据中心产品，预计2027年量产。

N3系列工艺量产进展

台积电（TSMC）按计划于2024年第四季度开始量产其增强版N3P（第三代3nm级）工艺技术，并在2025年北美技术研讨会上宣布，N3P将接替N3E，面向需要更高性能的客户端和数据中心应用，同时保留3nm级IP兼容性。N3P后续将由N3X于今年下半年接棒。

N3P是N3E的光学缩放版本（Optical Shrink），在保持设计规则和IP兼容性的同时，性能提升5%（同漏电下）或功耗降低5%-10%（同频率下），且晶体管密度增加4%（针对逻辑、SRAM和模拟模块的典型设计）。

N3P的密度提升得益于优化的光学技术，可更均匀地缩小所有芯片结构，尤其对SRAM密集型高性能设计（如AI加速器）带来显著优势。

“N3P于去年底（2024年）开始量产，”台积电资深副总裁、全球销售与业务发展主管、副首席运营官张凯文表示，“我们持续优化3nm技术。我们的策略是，在推出新节点后，继续进行技术迭代，让客户最大化技术缩放带来的收益。我们深知客户迁移到新节点需要巨大投入（如开发IP生态），因此希望他们在每个新节点上都能获得更大回报，同时我们也在产品层面提供持续优化。”

台积电一贯通过同一工艺开发套件（PDK）推出多个迭代版本，既延长设备使用周期，也帮助客户复用IP。

继N3P之后，将推出N3X，N3P和N3X都是N3家族的自然延伸。N3X芯片的大规模量产计划于2025年下半年启动。

对比N3P，N3X将提升5%最大性能（同功耗）或降低7%功耗（同频率）。但N3X的核心优势在于支持最高1.2V电压（对3nm级技术而言极端），从而实现芯片最高频率（Fmax），满足需要极致性能的客户端CPU需求。不过，这一特性需付出代价：1.2V电压下漏电功耗可能增加250%，Tom's Hardware表示，因此芯片设计者需谨慎权衡。（责编：Amy Wu）

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