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【前沿】绝缘衬底上直接生长石墨烯材料研究获重要进展!

烯碳资讯  · 公众号  ·  · 2017-06-15 16:07

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小烯导读


近期,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂,通过化学气相沉积(CVD)方法成功在二氧化硅、蓝宝石、石英玻璃等绝缘衬底上制备出高质量单层石墨烯材料,并将其成功应用于除雾器等电加热器件。







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