专栏名称: 传感器技术
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读懂芯片后端报告

传感器技术  · 公众号  ·  · 2017-09-21 09:49

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通常后端结果需要一个Signoff条件(我们这通常是SSG),按照这个条件出去流片,作为筛选门槛,之下的芯片就会不合格,跑不到所需的频率。所以条件设的越低,良率(Yield)就会越高。但是条件也不能设的太低,不然后端很难做,或者干脆方程无解,跑不出结果。X86上有个词叫体质,就是这个PVT。

这一栏有四个频率,上下两组容易区分,就是不同的电压。在频率确定时,动态功耗是电压的2次方,这个大家都知道。而左右两组数字的区别就是Corner了,分别为TT和SSG。

下一行是Optimization PVT。大家都知道后端EDA工具其实就是解方程,需要给他一个优化目标,它会自动找出最优局部解。而1.0V和0.9V中必须选一个值,作为最常用的频率,功耗和面积的甜点(Sweet Spot)。这里是选了1.0V,它的SSG和目标要求更接近,那些达不到的Corner可以作为降频贱卖。

再下一行是漏电Leakage,就是静态功耗。CPU停在那啥都不跑也会有这个功耗,它包含了四个CPU中的逻辑和一级缓存的漏电。但是A53本身是不包含二级缓存的,其他的一些小逻辑,比如SCU(Snooping Control Unit)也在CPU核之外,这些被称作Non-CPU,包含在MP4中。我们待机的时候就是看的它,可以通过power gating关掉二三级缓存,但是通常来说,不会全关,或者没法关。

下面是Dynamic Power,动态功耗。基本上我见过的CPU在测量动态功耗的时候,都是跑的Dhrystone。Dhrystone是个非常古老的跑分程序,基本上就是在做字符串拷贝,非常容易被软件,编译器和硬件优化,作为性能指标基本上只有MCU在看了。

但是它有个好处,就是程序很小,数据量也少,可以只运行在一级缓存(如果有的话),这样二级缓存和它之后的电路全都只有漏电。虽然访问二级三级缓存甚至DDR会比访问一级缓存耗费更多的能量,但是它们的延迟也大,此时CPU流水线很可能陷入停顿。这样的后果就是Dhrystone能最大程度的消耗CPU核心逻辑的功耗,比访问二级以上缓存的程序都要高。所以通常都拿Dhrystone来作为CPU最大功耗指标。实际上,是可以写出比Dhrystone更耗电的程序的,称作Max Power Vector,做SoC功耗估算的时候会用上。

动态功耗和电压强相关。公式里面本身就是2次方,然后频率变化也和电压相关,在跨电压的时候就是三次方的关系了。所以别看1.0V只比0.72V高了39%,最终动态功耗可能是3倍。而频率高的时候,动态功耗占了绝大部分,所以电压不可小觑。

此外,动态功耗和温度相关,SoC运行的时候不可能温度维持在0度,所以功耗通常会拿85度或者更高来计算,这个就不多说了。







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