PCM（相变存储器）的发展前景如何？

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挑战下一代存储器产业化

大到数据中心，小到一个小小芯片，都离不开动态内存(DRAM)。 现在通用的DRAM有一个致命的缺点，那就是怕断电——一旦断电，在内存中的数据就会瞬间消失，再也找不回来。 虽然也有可以随时保存数据的闪存(FLASH)，可数据擦写、读取都很慢。所以，尽管这些存储器在各种地方广泛使用，科学家总希望找到一种更完美的下一代存储器。

相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器：它通过电流和磁场的开关，让存储材料在晶体和非晶体间切换。由于改变的是材料的物理状态，所以即使断电，这种状态也不会消失，同时还可以实现很快的擦写速度。

早在2002年，宋志棠就开始关注这个方向。“现在的主流存储器，也曾经过惨烈的技术竞争，当时中国并没有什么核心技术，基本被排斥在这个市场之外。”他说，在下一代存储器的几种技术中，PCRAM是最接近产业化的，“如果我们可以有所突破，将可能在下一代存储器领域实现‘弯道超车’，发展自主知识产权。”

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从适合现有科研水平的市场入手

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