正文
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下:
-
第一部分:用数字表示半导体器件
有效电极数目
。
2:二极管;3:三极管
-
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的
材料和极性
。
表示二极管时:A:N型锗材料;B:P型锗材料;C:N型硅材料;D:P型硅材料。
表示三极管时:A:PNP型锗材料;B:NPN型锗材料; C:PNP型硅材料;D:NPN型硅材料。
-
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的
内型
。
P:普通管;
V
:
微波管;
W
:
稳压管
;
C
:
参量管
;
Z
:
整流管
;
L
:
整流堆
;
S
:
隧道管
;
N
:
阻尼管
;
U
:
光电器件
;
K
:
开关管
;
X
:
低频小功率管(f <3MHz,Pc<1W)
;
G
:
高频小功率管(f >3MHz,Pc<1W)
;
D
:
低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)
;
A
:
高频大功率管(f >3MHz,Pc>1W)
;
T
:
半导体晶闸管(可控整流器)
;
Y
:
体效应器件
;
B
:
雪崩管
;
J
:
阶跃恢复管
;
CS
:
场效应管
;