正文
电子科技大学教授
从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究，多次担任国际会议功率半导体分会主席，2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议（ISPSD）技术委员会（TPC）成员（全球功率半导体最高级别专业会议，张波教授是近年来首次进入该技术委员会的国内学者），2015年ISPSD大会副主席。目前带领电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）主攻功率半导体技术研究。
电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）是“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”和“电子科技大学集成电路研究中心”的重要组成部分。被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和“功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。实验室瞄准国际一流，致力于功率半导体科学和技术研究，研究内容涵盖分立器件（从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，从硅基到SiC和GaN）、可集成功率半导体器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成电路（含高低压工艺集成、高压功率集成电路、电源管理集成电路、数字辅助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等）。
近年来,实验室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件领域顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文，论文数位列全球前列以后，2015年在TED上发表8篇文章，论文数再次列全球前三（在固态功率与高压器件领域居全球第一）。
实验室在功率半导体技术领域已申请中国发明专利800余项，与企业合作承担了国家高技术产业发展计划、四川省产业发展关键重大技术项目、江苏省产业化转化项目、广东省教育部产学研结合项目、粤港关键领域重点突破项目等产业化项目；面向市场研发出100余种产品；为企业开发出60V-600V功率MOS、600V-900V超结（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等生产平台，部分产品打破国外垄断、实现批量生产，已销售数亿只。
分会外方主席：陆国权
美国弗吉尼亚理工大学终身教授
1992年进入美国弗吉尼亚理工大学工作，曾获美国国家自然科学基金Career奖，2003年成为弗吉尼亚理工大学终身教授，美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统研究中心CPES骨干科学家。他已成功在功率半导体器件和模块中实现倒装焊、球栅阵列和旋涡阵列连接，双面冷却封装，平面化封装等专利技术。他是纳米银焊膏的专利发明人，曾获得美国R&D 100大奖。迄今他已先后在电子封装期刊及会议发表学术论文逾220篇，其中100余篇被SCI收录。授权美国发明专利4项，公开发明专利1项，授权中国发明专利6项，公开中国发明专利13项。
分会外方主席：吴伟东
加拿大多伦多大学电子与计算机工程学部教授
多伦多大学电子与计算机工程系教授，其研究领域涵盖智能功率半导体器件及其制作工艺，他尤其擅长功率管理集成电路、集成电源开关和集成D类
音频功率放
大
器的开发。
1990年获得多伦多大学的博士学位后，吴教授加入德州仪器公司，开发适用于汽车应用的功率晶体管。
1992年吴教授加入香港大学开始学术研究生涯。
1993年，吴教授加入多伦多大学，组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队，他于1998年和2008年分别晋升为副教授和正教授，他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。
吴教授是多伦多纳米制造中心主任和多伦多大学开发获取研究中心主任。
吴教授自2009年起担任IEEE电子器件快报的副主编。
肖国伟
广东晶科电子股份有限公司董事长兼总裁
肖国伟博士1968年出生，早期于西安交通大学获工学本科、硕士学位，2002年1月于香港科技大学获博士学位，2006年在广州南沙创立广东晶科电子股份有限公司，担任董事长兼总裁。
肖国伟博士在半导体先进封装方面拥有17年技术积累，带领团队攻克多项技术瓶颈，获得专利167项。肖国伟博士获得香港首批“优秀人才输入计划”及广州市首批“百人计划”创新人才等称号。获得香港工商业界“科技成就奖”、广东省科学技术二等奖，广州市政协香港委员，国家半导体照明产业与研发联盟副理事长、广东省照明学会理事长。
