个人履历：
中组部第八批“千人计划”入选者，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师；
1998年毕业于德国Stuttgart大学/马普固体研究所，获博士学位，师从诺贝尔物理奖获得者Klaus von Klitzing；
先后在美国能源部橡树岭国家实验室、美国英飞凌公司纽约研发中心、美国格罗方德公司纽约研发中心工作；
由于在193nm浸没式光刻技术上的开创性贡献，于2009年受SPIE邀请出版专著“Advanced processes for 193nm immersion lithography”，该书已被美国多所高校和研究机构作为研究生的教材和主要参考书；
发表了70篇的专业文献并持有多项美国专利；
研究领域：
韦亚一博士长期从事半导体光刻领域设备、材料和制程研发，先后参与或主持了从180nm一直到10nm节点的光刻工艺研发，具有丰富的先进光刻研发经验，取得了多项核心技术；
所在机构任职及荣誉：
2013年7月回国工作，首先作为项目首席科学家主持了国家02重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备和光刻工艺研发”；
在中科院微电子所建立了计算光刻课题组，从事20nm以下技术节点的光源-掩模协同优化（SMO）和光学邻近效应修正（OPC）研究；
韦亚一的研究成果被广泛应用于国内FinFET和3D NAND的量产工艺中；
2016年7月在科学出版社出版了“超大规模集成电路的先进光刻理论与应用”一书；
2017年3月计算光刻课题组升格为计算光刻研发中心，并被北京市授予中关村开放实验室，韦亚一博士任中心和开放实验室主任。
