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然后X光光刻转变成一种叫做软性X光，或者称作EUV的技术。通过使用多层的镜子，让这个技术变得更实际。于是从上世纪80年代开始，业界就投入到了EUV光刻的研发，但直到21世纪出，这个技术才取得了业界认可的突破性进展。也就是在那时，芯片制造商表示，传统光刻将会在65nm或者45nm的时候遇到障碍，由此亟需下一代的光刻技术，去缩小晶体管的规模，延续摩尔定律。
多年以后，EUV已经成为下一代光刻技术中的佼佼者，其他的竞争技术，如自组装技术、电子束直写和纳米打印技术都现实不见了。
业界指望下一代光刻技术能给业界带来新的颠覆，但从目前的状况看来，似乎还没准备好。
传统的光刻技术开始逐渐违背物理定律了，但无奈地还得充当Fab的主流技术。现在应用在Fab的先进光刻技术，就只有193nm沉浸式光刻，但也只能在晶圆上打印一下细小的功能部件，并不能大规模应用。
按理说，193nm光刻在80nm的时候就会碰到瓶颈。但芯片制造商通过应用分辨率增强技术（RETs）,将193nm光刻技术应用在远低于这个波长的场景。
有了RETs，光刻机在28nm的时候只需要一次的光刻曝光就可以实现了。但到了22nm/20nm，单次曝光有时候就不能给临界层提供足够的分辨率。芯片制造商就通过多重pattern的方式解决问题。这也就是增加了一个简单的两步流程。
应用材料的VP Uday Mitra表示，现在的pattern也就需要两个基本的操作。第一步就是line/space；第二步是cut。
第一步就是光刻机在设备上刻下很小的线。Mitra还表示，现在的公司都在使用line/space，之后还会继续使用基于spacer的SADP和SAQP多重pattern技术。
这当中的主要的挑战就是刻这些细线图案。为了达到目标，芯片制造商只好使用双重pattern技术。在这个步骤里会需要两次光刻和刻蚀步骤去确定一个单层。这就是我们声称的LELE技术。
使用这种双重pattern技术，可以节省30%的pitch，而三重pattern则需要三次曝光，也就是需要三次刻蚀步骤（LELELE），当然，SADP和SAQP也可以在刻的时候应用上。
