国科大/KAUST/海南大学合作，Nature Photonics!

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1 Sun 光照）后效率保持率 94.9% ， 85℃ 热老化同等时长后保持 95.2% ，远超未修饰器件（ 70.7%/73.2% ）。

图文解析

图 1. HS 界面层的结构与能级调控机制

要点：

HS 聚合物骨架双侧分布的 COO⁻ 、 SO₃⁻ 和 Na⁺ 基团，通过 Pb-O 和 Sn-O 键（键长分别为 2.44 Å 和 2.21 Å ）桥接 SnO₂ 与钙钛矿层，形成 3–5 nm 的非晶界面层。紫外光电子能谱（ UPS ）显示 HS 修饰使 SnO₂ 的导带边（ Ec ）从 -4.35 eV 上移至 -4.16 eV ，与钙钛矿 Ec （ -3.92 eV ）更匹配，界面能垒降低促进电子提取。开尔文探针测量验证功函数从 -4.47 eV 升至 -4.31 eV ，与 UPS 结果一致。此外， HS 引入轻度氧空位提升 SnO₂ 电导率，而均匀的 Na 、 S 元素分布证实 HS 在 SnO₂ 表面的全覆盖，为界面稳定性奠定基础。

图 2. HS 对钙钛矿光电性能的优化作用

要点：

HS 修饰的 SnO₂ 表面钙钛矿晶粒尺寸显著增大（扫描电镜图），二维掠入射 X 射线衍射（ 2D-GIXRD ）显示衍射环更明亮尖锐，表明结晶质量提升。瞬态吸收光谱中 SnO₂/HS 基钙钛矿吸收衰减更快，证明载流子传输效率提高。稳态荧光强度降低及时间分辨荧光衰减加速（ τ₁ 从 18.7 ns 缩至 15.2 ns ）进一步说明界面缺陷减少。空间电荷限制电流测试揭示陷阱密度从 1.47×10¹⁵ cm⁻³ 降至 1.36×10¹⁵ cm⁻³

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