绝地反击！三星 2 纳米良率大幅提升，势与台积电一战！

主要观点总结

本文主要介绍了三星和台积电在2纳米制程上的技术竞争。两家公司都在努力提升良率，缩小差距，并展开对高性能芯片订单的争夺。文章详细描述了三星和台积电的2纳米制程进展、客户情况、产能布局以及他们的竞争策略。

关键观点总结

关键观点1: 三星和台积电的2纳米良率竞争

最新消息显示，三星和台积电的2纳米良率差距已缩小至20%以内。三星的目标是将Exynos 2600芯片的良率提升至50%以上，而台积电已经突破了60%的良率。

关键观点2: 三星的Exynos 2600芯片进展

三星为Galaxy S26系列定制的Exynos 2600芯片已进入原型量产阶段，目标是在不牺牲性能的前提下提升良率。若成功量产，这将影响业界对三星下一代制程的信心。

关键观点3: 三星和台积电的客户服务

三星积极拓展订单版图，与NVIDIA、高通等巨头合作。台积电则凭借成熟的良率和客户信任度巩固龙头地位。两家公司在争夺订单方面的策略都有所体现。

关键观点4: 技术进步的影响

从3纳米到2纳米，半导体制程的每一步突破都伴随着良率的艰难爬坡。三星与台积电的良率竞争不仅关乎技术实力，更直接影响半导体产业链的话语权。

正文

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50% 的目标若实现，将较初期提升 20 个百分点。这一进展被视为三星 Foundry 的重要里程碑，尤其是对比其 3 纳米工艺 —— 即便量产三年，良率仍徘徊在 50% 左右。作为三星 2 纳米技术的 “试金石”，Exynos 2600 的性能与良率将直接影响业界对其下一代制程的信心。若能成功量产，三星有望凭借 Exynos 芯片重新与高通骁龙形成竞争，进一步控制成本。

此外，三星正积极拓展 2 纳米订单版图。据《朝鲜经济》报道，其已与 NVIDIA、高通进入 2 纳米性能测试的最后阶段，目标成为两家巨头的二级供应商。其中，高通的 Snapdragon 8 Gen 4 “Elite 2” 芯片可能采用三星 2 纳米制程，预计 2026 年下半年在 Galaxy 手机中亮相。

台积电 2 纳米领跑：良率突破 60%，客户阵容豪华

相比之下，台积电在 2 纳米赛道已展现领先优势。据韩国《前锋报》消息，台积电 2 纳米制程良率已突破 60%，跨越稳定量产门槛，较三星当前 40% 左右的良率（传闻）形成约 20% 的差距。其 2 纳米工艺首次采用环绕式闸极（GAA）架构，相较 3 纳米制程，效能提升 10%-15%，能耗降低 25%-30%，晶体管密度提高 15%。

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