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国家光电实验室首次实现 9nm 线宽光刻
2016年底，华中科技大学国家光电实验室目前利用双光束在光刻胶上首次完成了 9nm 线宽，双线间距低至约 50nm 的超分辨光刻。未来将这一工程化应用到光刻机上可以突破国外的专利壁垒，直接达到 EUV 的加工水平。
2014年10月瑞典皇家诺贝尔奖委员会决定将当年的诺贝尔化学奖授予打破光学衍射极限发明超分辨率光学显微技术的三位科学家，以表彰他们在超分辨率光学成像方面的卓着贡献。其中斯蒂芬·黑尔教授发明的STED超分辨技术采用二束激光，一束激发激光(Exciting Laser Beam)激发显微镜物镜下的荧光物质产生荧光，另外一束中心光强为零的环形淬灭激光(Inhibiting Laser beam)淬灭激发激光产生的荧光。这两束光的中心重合在一起，使得只有处于纳米级环形淬灭激光中心处的荧光分子才能正常发光，通过扫描的办法就可以得到超越衍射极限的光学成像。
遵循这个思路，华中科技大学国家光电实验室的甘棕松教授在国外攻读博士学位期间，采用类似方法在光刻制造技术上取得进展，成功突破光学衍射极限，首次在世界范围内实现了创记录的单线 9nm 线宽，双线间距低至约 50nm 的超分辨光刻。未来将这一技术工程化应用到光刻机上，能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻，有望使国产集成电路光刻机摆脱一味采用更短波长光源的技术路线。
采用超分辨的方法突破光学衍射的限制，将光聚集到更小的尺寸，应用到集成电路光刻可以带来两个方面的好处：一方面可以实现更高的分辨率，不再需要采用更短波长的光源，使得光刻机系统造价大大降低;另外一方面采用可见光进行光刻，可以穿透普通的材料，工作环境要求不高，摆脱 EUV 光源需要真空环境、光刻能量不足的羁绊。
与动辄几千万美元的主流光刻机乃至一亿美元售价的 EUV 光刻机相比，超分辨光刻硬件部分只需要一台飞秒激光器和一台普通连续激光器，成本只是主流光刻机的几分之一。该系统运行条件比紫外光刻温和得多，不需要真空环境，不需要特殊的发光和折光元器件，和一般光刻系统相比，该系统仅仅是引入了第二束光，系统光路设计上改动比较小，光刻机工程化应用相对容易，有希望使国产光刻机在高端领域弯道超车、有所突破。
国内半导体设备产业正面临空前机遇
综观全球半导体设备与材料市场，每年约 800 亿美元，现状几乎是美国垄断设备，日本掌控材料，除了欧洲的 ASML 光刻设备之外，连中国台湾地区与韩国的设备国产化率也很低。两者多次设立目标想要提升，但受限于工业基础，实际上进展也很缓慢。相比之下，在中国半导体业发展中，更严峻的态势是所用的设备与材料，几乎 90%以上都需要进口。
SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙就多次指出，目前中国半导体设备和材料占全球市场份额不足1%，严重制约着国产芯片产业的自给和健康发展。
